N5182B MXG X系列射頻矢量信號(hào)發(fā)生器 專(zhuān)業(yè)技術(shù)詳解
一、產(chǎn)品定位與技術(shù)演進(jìn)
1.1 產(chǎn)品系列定位
N5182B MXG屬于Keysight X系列信號(hào)發(fā)生器的中高端產(chǎn)品線，填補(bǔ)了基礎(chǔ)型信號(hào)源與高端矢量信號(hào)發(fā)生器之間的市場(chǎng)空白。作為MXG（Microwave eXtended Generator）系列的核心型號(hào)，它在保持經(jīng)濟(jì)性的同時(shí)提供了接近高端信號(hào)源的性能。
1.2 技術(shù)演進(jìn)路線
前代產(chǎn)品：E8267D PSG矢量信號(hào)發(fā)生器
技術(shù)升級(jí)點(diǎn)：
頻率切換速度提升40%（從1.5ms到900μs）
相位噪聲優(yōu)化3dB
增加實(shí)時(shí)基帶IQ處理能力
支持更寬的調(diào)制帶寬（從50MHz擴(kuò)展到80MHz）
二、核心射頻性能指標(biāo)
2.1 頻率特性
| 參數(shù) | 指標(biāo) |
|---|---|
| 頻率范圍 | 100kHz至6GHz/13.6GHz/20GHz/31.8GHz/40GHz |
| 頻率分辨率 | 0.01Hz（全頻段） |
| 頻率準(zhǔn)確度 | ±(時(shí)基誤差 + 0.5×10??) |
| 切換速度 | <900μs（20GHz型號(hào)，任意頻點(diǎn)） |
2.2幅度特性
| 參數(shù) | 指標(biāo) |
|---|---|
| 輸出范圍 | -130dBm至+23dBm（6GHz型號(hào)） |
| 電平精度 | ±0.5dB（23±5℃） |
| 電平線性度 | ±0.3dB（0dBm至-110dBm） |
| 反向功率保護(hù) | 連續(xù)耐受+30dBm（50V DC） |
三、矢量信號(hào)生成能力
3.1 基帶系統(tǒng)架構(gòu)
數(shù)字中頻處理：
16-bit DAC分辨率
400MS/s采樣率
80MHz瞬時(shí)帶寬
IQ調(diào)制器：
載波抑制>35dBc
邊帶抑制>40dBc
3.2 數(shù)字調(diào)制性能
| 調(diào)制類(lèi)型 | EVM典型值 |
|---|---|
| 64QAM | <1.5% RMS |
| 256QAM | <2.0% RMS |
| 802.11ac 80MHz | <2.5% RMS |
| 5G NR 100MHz | <3.0% RMS |
3.3 實(shí)時(shí)信號(hào)處理
ARB存儲(chǔ)器：
標(biāo)準(zhǔn)64MSa（可擴(kuò)展至256MSa）
支持多段波形序列播放
實(shí)時(shí)更新率：
100μs級(jí)參數(shù)更新（頻率/幅度/相位）
支持突發(fā)模式（Burst）操作
四、系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用方案
4.1 5G NR測(cè)試方案
FR1測(cè)試：
支持100MHz NR載波
可配置SSB/CSI-RS/SRS信道
FR2測(cè)試：
通過(guò)E8267D+毫米波頭擴(kuò)展
支持波束賦形驗(yàn)證
4.2 雷達(dá)仿真系統(tǒng)
脈沖特征：
上升/下降時(shí)間<20ns
脈寬分辨率1ns
支持Stagger PRI模式
調(diào)制類(lèi)型：
LFM/CW/相位編碼
支持NLFM波形生成
4.3 元器件測(cè)試
放大器測(cè)試：
內(nèi)置AM-AM/AM-PM表征功能
支持雙音互調(diào)測(cè)試
混頻器測(cè)試：
本振泄漏<-50dBm
鏡像抑制>50dBc
