NPT2010B 是一款由 MACOM 生產(chǎn)的寬帶 GaN（氮化鎵）射頻功率晶體管，專為高頻、高功率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。以下是其詳細(xì)的技術(shù)參數(shù)和應(yīng)用場(chǎng)景：
### 技術(shù)參數(shù)
- **工作頻率范圍**：DC 至 2.2 GHz。
- **輸出功率**：
- 在 2.2 GHz 下，連續(xù)波（CW）輸出功率可達(dá) 100 W（50 dBm）。
- **增益**：在 2.2 GHz 下，增益為 17 dB。
- **效率**：
- 在 2.2 GHz 下，漏極效率大于 60%。
- 功率附加效率（PAE）為 50%。
- **工作電壓**：48 V。
- **封裝類型**：高可靠性陶瓷鍍金法蘭封裝。
- **溫度范圍**：最高結(jié)溫可達(dá) 200°C。
- **駐波比**：在所有相位和設(shè)備無損壞的情況下，最高可達(dá) 10:1。
### 特性
- **寬帶優(yōu)化**：針對(duì) DC 至 2.2 GHz 的寬帶操作進(jìn)行優(yōu)化。
- **高效率**：在 2.2 GHz 下，漏極效率大于 60%，功率附加效率（PAE）為 50%。
- **高可靠性**：在所有相位和設(shè)備無損壞的情況下，最高可達(dá) 10:1 的電壓駐波比失配。
- **專有技術(shù)**：采用 SIGANTIC? NRF1 工藝，這是一種專有的 GaN-on-Silicon 技術(shù)。
### 應(yīng)用場(chǎng)景
- **國(guó)防通信**：適用于需要高功率和高效率的通信系統(tǒng)。
- **陸地移動(dòng)無線電**：適用于需要高功率輸出的移動(dòng)通信系統(tǒng)。
- **航空電子設(shè)備**：用于航空電子系統(tǒng)中的高頻通信。
- **無線基礎(chǔ)設(shè)施**：用于無線基站等設(shè)備。
- **ISM 應(yīng)用**：適用于工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療設(shè)備。
- **VHF/UHF/L 波段雷達(dá)**：用于雷達(dá)系統(tǒng)中的高功率發(fā)射。
