1P603AS低剖面、高性能 3dB 混合耦合器
型號:
1P603AS
1P603AS 是一款由 TTM Technologies(原 Anaren)生產(chǎn)的低剖面、高性能 3dB 混合耦合器,采用表面貼裝封裝,適用于 2.3 GHz - 2.7 GHz 頻段的射頻應(yīng)用。
### 產(chǎn)品特點
- **頻率范圍**:2.3 GHz - 2.7 GHz。
- **插入損耗**:最大 0.30 dB。
- **隔離度**:最小 20 dB。
- **功率容量**:25 W。
- **工作溫度**:-55°C 至 +85°C。
- **封裝類型**:4-SMD,無引腳,適合表面貼裝。
- **相位平衡**:±3°。
- **幅度平衡**:±0.25 dB。
- **VSWR**:最大 1.20:1。
### 應(yīng)用領(lǐng)域
- **平衡放大器**:適用于高功率設(shè)計。
- **信號分配**:適用于無線通信系統(tǒng)。
- **低噪聲放大器**:適用于需要低插入損耗和高隔離度的應(yīng)用。
- **可變移相器和衰減器**:適用于需要精確信號控制的系統(tǒng)。