低相噪介質(zhì)晶體振蕩器（DRO）是一種高性能的微波頻率源，它在1GHz到幾十GHz的頻率范圍內(nèi)可以直接產(chǎn)生所需的振蕩頻率，不需要倍頻，具有體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。介質(zhì)諧振器作為DRO最重要的部件，通常采用介電常數(shù)高、損耗低的陶瓷材料構(gòu)成，諧振頻率還與周圍的環(huán)境相關(guān)。這種振蕩器因其高穩(wěn)定性和低相位噪聲特性，可應(yīng)用于高性能微波組件中，如頻率合成器、信號(hào)分配器和調(diào)制器等。
低相噪介質(zhì)晶體振蕩器DRO的重要參數(shù)包括頻率范圍、輸出功率、電壓、頻率穩(wěn)定度和相噪等。例如，RADITEK品牌的一款低相噪介質(zhì)晶體振蕩器DRO，其頻率范圍為5.0-7.9GHz，輸出功率為14dBm，工作電壓為6-18V，頻率穩(wěn)定度最大為5ppm/°C，相噪典型值為-120dBc 100KHz。訂貨周期通常為8-10周。
此外，DRO的最大應(yīng)用場(chǎng)景是加入模擬鎖相后形成PDRO（介質(zhì)鎖相振蕩器），這種鎖相源在體積、相位噪聲等方面有很大的優(yōu)勢(shì)，在高要求系統(tǒng)中經(jīng)常使用。低相噪DRO在現(xiàn)代微波和毫米波技術(shù)中扮演著關(guān)鍵角色，能提供對(duì)于先進(jìn)通信和雷達(dá)系統(tǒng)至關(guān)重要的高頻率穩(wěn)定度且低相位噪聲的信號(hào)。
