CMPA2560025F是一款基于氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）功率放大器，具有以下特點和應用：
### 產(chǎn)品描述
- **技術基礎**：采用GaN HEMT技術，相比硅（Si）或砷化鎵（GaAs），GaN具有更高的擊穿電壓、更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導率，提供更高的功率密度和更寬的帶寬。
- **封裝類型**：780019 PIN≤CMPA2560025F，帶有銅-鎢散熱器的小型螺釘式封裝。
### 特性
- **小信號增益**：24分貝。
- **典型飽和輸出功率**：25瓦。
- **工作電壓**：高達28伏。
- **高擊穿電壓**：84伏（漏-源電壓）。
- **高溫操作能力**：最高工作結溫225攝氏度。
### 應用
- **超寬帶放大器**：適用于需要寬頻帶的放大器。
- **光纖驅動器**：用于光纖通信系統(tǒng)。
- **測試儀器**：用于電子測試設備。
- **電磁兼容性放大器驅動**：用于電磁兼容性測試。
### 典型性能（2.5至6.0吉赫茲，環(huán)境溫度25攝氏度）
- **增益**：2.5吉赫茲時為27.5分貝，4.0吉赫茲時為24.3分貝，6.0吉赫茲時為23.1分貝。
- **飽和輸出功率**：2.5吉赫茲時為35.8瓦，4.0吉赫茲時為37.5瓦，6.0吉赫茲時為25.6瓦。
- **功率附加效率**：2.5吉赫茲時為31.5%，4.0吉赫茲時為32.8%，6.0吉赫茲時為30.7%。
這款放大器適用于多種應用場景，包括基站、衛(wèi)星通信等。
