CGH40120P 是一款氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率、高增益和寬帶寬能力而設計。這款晶體管適用于多種射頻和微波應用，如雙向無線電、寬帶放大器、蜂窩基礎設施和測試儀器等。它提供高達2.5吉赫茲的操作頻率，小信號增益在1.0吉赫茲時為20分貝，在2.0吉赫茲時為15分貝，典型輸出功率為120瓦，效率在P32T時高達70%，操作電壓為28伏。此外，CGH40120P 還具有以下特點：
- 適用于OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA波形的線性和壓縮放大器電路。
- ADS和MWO的大信號模型可用。
- 金屬陶瓷藥丸封裝（440206 PN:CGH40120P）。
