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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRLR2703TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRLR2703TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**IRLR2703TRPBF-VB** 是一款高性能 N-Channel MOSFET,封裝為 TO252。它采用 Trench 技術(shù),具有超低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,非常適合需要高效能和高可靠性的電路設(shè)計(jì)。該 MOSFET 的漏源電壓(V_DS)為 30V,柵源電壓(V_GS)為 ±20V,能夠在低柵極驅(qū)動(dòng)電壓下實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的導(dǎo)通性能。其導(dǎo)通電阻(R_DS(ON))為 9mΩ(@V_GS=4.5V)和 7mΩ(@V_GS=10V),最大漏極電流(I_D)為 70A,使其特別適合高電流應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)?N-Channel
- **漏源電壓 (V_DS)**:30V
- **柵源電壓 (V_GS)**:±20V
- **閾值電壓 (V_th)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON))**:
 - 9mΩ @ V_GS=4.5V
 - 7mΩ @ V_GS=10V
- **最大漏極電流 (I_D)**:70A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

**IRLR2703TRPBF-VB** 的優(yōu)良性能使其適用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理**:
  - 在電源管理領(lǐng)域,尤其是 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,該 MOSFET 由于其超低的導(dǎo)通電阻,可以顯著提高電能轉(zhuǎn)換效率,減少功耗和熱量生成。這使得它在電源模塊和電池管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,能夠有效提升系統(tǒng)的整體性能。

2. **功率開關(guān)**:
  - 由于其高電流承載能力,IRLR2703TRPBF-VB 特別適用于各種功率開關(guān)應(yīng)用,如電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)和功率分配系統(tǒng)。它的高耐壓和低導(dǎo)通電阻使其能夠處理高電流負(fù)載,確保開關(guān)操作的可靠性和效率。

3. **汽車電子**:
  - 在汽車電子系統(tǒng)中,如電池管理系統(tǒng)、電動(dòng)窗和座椅調(diào)節(jié)器,該 MOSFET 能夠處理高電流并提供可靠的開關(guān)功能。它的高電流能力和低導(dǎo)通電阻能夠應(yīng)對(duì)汽車環(huán)境中的嚴(yán)苛條件,提高汽車電子系統(tǒng)的整體性能和耐用性。

4. **消費(fèi)電子**:
  - 在消費(fèi)電子領(lǐng)域,如便攜式設(shè)備、家用電器等,IRLR2703TRPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力能夠提高能效,減少功耗。尤其在對(duì)電源管理要求較高的應(yīng)用中,這種 MOSFET 能夠幫助提高設(shè)備的工作效率和延長(zhǎng)使用壽命。

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