--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**IRLR3714ZTRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介:**
IRLR3714ZTRPBF-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N 溝道 MOSFET,利用先進(jìn)的 Trench 技術(shù)設(shè)計。這款 MOSFET 具有 30V 的漏極-源極電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵極-源極電壓 (VGS),閾值電壓 (Vth) 為 1.7V。其導(dǎo)通電阻在 VGS = 10V 時為 7mΩ,在 VGS = 4.5V 時為 9mΩ,能夠承載最大 70A 的連續(xù)漏極電流 (ID)。IRLR3714ZTRPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在高效能和高負(fù)載的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- **型號:** IRLR3714ZTRPBF-VB
- **封裝類型:** TO252
- **通道配置:** 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS):** 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):** 7mΩ @ VGS = 10V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):** 9mΩ @ VGS = 4.5V
- **連續(xù)漏極電流 (ID):** 70A
- **技術(shù):** Trench
**應(yīng)用領(lǐng)域及實例:**
1. **電源管理:**
IRLR3714ZTRPBF-VB 適用于高效電源管理系統(tǒng),例如在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中作為開關(guān)元件。由于其低導(dǎo)通電阻,它可以顯著降低功率損耗,提高能效,使電源轉(zhuǎn)換器更加高效和可靠。
2. **電動汽車:**
在電動汽車(EV)的電池管理系統(tǒng)和電機(jī)控制模塊中,這款 MOSFET 可用于高電流開關(guān)和驅(qū)動應(yīng)用。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠處理電動汽車中大電流和高功率負(fù)載,提供穩(wěn)定的性能并減少熱量產(chǎn)生。
3. **工業(yè)自動化:**
在工業(yè)自動化系統(tǒng)中,IRLR3714ZTRPBF-VB 可用于驅(qū)動電機(jī)和控制高電流負(fù)載。例如,在自動化生產(chǎn)線中的電機(jī)驅(qū)動控制中,它能夠提供高效的開關(guān)性能,并確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。
4. **消費電子:**
在消費電子產(chǎn)品中,例如電源適配器和充電器中,這款 MOSFET 可以作為開關(guān)組件,用于控制高功率和高電流的電源輸出。其低導(dǎo)通電阻有助于提高電源適配器的效率,減少熱量產(chǎn)生,并延長產(chǎn)品壽命。
IRLR3714ZTRPBF-VB MOSFET 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在電源管理、電動汽車、電工業(yè)自動化以及消費電子領(lǐng)域中表現(xiàn)優(yōu)異,為這些應(yīng)用提供了高效、可靠的開關(guān)解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12