UMS 的 CHK8015-99F 是一款氮化鎵高電子遷移率晶體管，工作頻率高達 18 GHz。它提供 20 瓦的功率和 17 dB 的信號增益和 68% @ 9 GHz 的功率附加效率。該器件需要 30 V 電源，專為各種射頻電源應(yīng)用而設(shè)計。它以裸片形式提供，尺寸為 0.88 x 2 x 0.1 mm。該電路采用 SiC 襯底上的 0.25μm 柵極長度 GaN HEMT 技術(shù)制造，需要外部匹配電路。
用于下一代 SSPA 的 GaN 功率塊
UMS 推出一系列新的裸片 GaN 電源棒
- 大功率
- 高效率
- 寬帶能力
- 兼容脈沖和 CW 操作模式
這些設(shè)備可以根據(jù)特定要求在系統(tǒng)中進行優(yōu)化：PAE、功率、魯棒性……為了微調(diào)整體性能，我們的 ULRC 技術(shù)可在代工模式下使用，可以設(shè)計所需的匹配元件。
UMS 電源條還提供密封、塑料或法蘭封裝。
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| CHK8015-99F | CHK8101-99F | CHK9014-99F | CHK9013-99F | CHKA012-99F | |
| Nb 細胞 | 4 | 2 | 8 | 8 | 8 |
| 最大頻率 (GHz) | 18 | 6 | 13 | 7 | 4 |
| 最大噘嘴 (W) | 16 | 20 | 55 | 85 | 140 |
| PAE* | 65%@9GHz | 60%@6GHz | 50%@12GHz | 69%@5GHz | 65%@3GHz |
| 技術(shù) | GH25 | GH50 | GH25 | GH25 | GH50 |
| 尺寸（毫米） | 0.88x2x0.1 | 1.05×1.55×0.1 | 0.88×4.27×0.1 | 0.9×4.27×0.1 | 1×4.84×0.1 |
- 在演示板上實現(xiàn)
這些設(shè)備可以根據(jù)特定要求在系統(tǒng)中進行優(yōu)化：PAE、功率、魯棒性……為了微調(diào)整體性能，我們的 ULRC 技術(shù)可在代工模式下使用，可以設(shè)計所需的匹配元件。
UMS 電源條還提供密封、塑料或法蘭封裝。
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號
CHK8015-99F
制造商
聯(lián)合單片半導(dǎo)體
描述
從 DC 到 18 GHz 的 20 W 功率晶體管
一般參數(shù)
晶體管類型
HEMT
技術(shù)
碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應(yīng)用行業(yè)
雷達、無線基礎(chǔ)設(shè)施
連續(xù)波/脈沖
脈沖，連續(xù)波
頻率
直流至 18 GHz
力量
42.04 分貝
功率(W)
16 瓦
飽和功率
20 瓦
小信號增益
17分貝
功率附加效率
0.68
電源電壓
30 伏
閾值電壓
80 伏
漏柵電壓
120 伏
擊穿電壓 - 漏源
30 伏
電壓 - 柵源 (Vgs)
-3.3 至 -20 V
漏電流
1個
靜態(tài)漏極電流
0.2 至 0.46 A
柵極漏電流 (Ig)
-0.8 毫安
結(jié)溫 (Tj)
200攝氏度
熱阻
6 度 C/W
包裝類型
死
RoHS
是的
貯存溫度
-55 至 150 攝氏度
筆記
柵極電流正向模式：0 至 16 mA，Pich Off 電壓：-4 至 -2.8 V，飽和漏極電流：3.6 A
CHA4253a98F
CHA8352-99F
CHA7618-99F
CHA3024-FDB
CHA4350-QDG
CHA2362-98F
CHA3409-98F
CHA7060-QWA
CHA8611-99F
CHA2595-QDG
CHA8054-99F
CHA6710-FAB
CHA6653-98F
CHZ8012-QJA
CHA6710-99F
CHA4861-QGG
CHA3080-98F
CHA3090-98F
CHA4102-QEG
CHA6194-QXG
CHA3398-QDG
CHA3395-QDG
CHA4253aQQG
CHA3397-QDG
CHA5050-99F
CHA6652-QXG
CHA3396-QDG
CHA3660-QQG
CHA6653-QXG
CHA6550-QXG
CHA5350-99F
CHA4250-QDG
CHA5266-QDG
CHA5250-QDG
CHA3565-QAG
CHA5266-FAA
CHA5266-99F
CHA1008-99F
CHA2080-98F
CHA2069-FAA
CHA2441-QAG
CHA2110-98F
CHA2110-QDG
CHA1010-99F
