--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 頻率 直流至 1.5 GHz
- 飽和功率 150W(典型值),130W(最小值)
- 效率 75 %
- 電源電壓 50 伏
- 漏電流 640毫安
--- 產(chǎn)品詳情 ---
UMS 的 CHKA011aSXA 是一款 GaN 晶體管,在脈沖和 CW 模式下工作頻率高達(dá) 1.5 GHz。它提供 150 瓦的飽和輸出功率(25μs,10% 占空比),效率為 75%。它采用法蘭金屬陶瓷封裝,非常適合雷達(dá)和電信應(yīng)用。該產(chǎn)品采用 0.5μm 柵極長(zhǎng)度 GaN HEMT 工藝制造,需要外部匹配網(wǎng)絡(luò)。
新型 GaN 寬帶能力晶體管

CHKA011aSXA 是一款 130W 無與倫比的封裝氮化鎵晶體管。
這種采用法蘭金屬陶瓷功率封裝的晶體管可以工作在高達(dá) 1.5GHz 的頻率下,具有 75% 的非常高的 PAE 和 150W 的飽和輸出功率。它可用于脈沖或連續(xù)波模式。
CHKA011aSXA 專為多用途應(yīng)用而開發(fā),例如雷達(dá)和電信。
該產(chǎn)品是在內(nèi)部 0.5μm 柵極長(zhǎng)度 GaN HEMT 工藝上開發(fā)的。它需要一個(gè)外部匹配網(wǎng)絡(luò)。


主要特點(diǎn):
- 頻率范圍:DC - 1.5GHz
- 脈沖和連續(xù)波操作模式
- ? 大功率:130W
- ? 高效率:75% PAE
- ? Psat:150W
- ? 直流偏置:Vd=50V @ Id=640mA
- ? 法蘭金屬陶瓷封裝
- VDS = 50V,ID_Q=640mA,引腳=32dBm
- 脈沖模式(25μs,10%)
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號(hào)
CHKA011aSXA
制造商
聯(lián)合單片半導(dǎo)體
描述
從 DC 到 1.5 GHz 的 150 W GaN 晶體管
一般參數(shù)
晶體管類型
HEMT
技術(shù)
碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應(yīng)用行業(yè)
雷達(dá),蜂窩
連續(xù)波/脈沖
連續(xù)波,脈沖
頻率
直流至 1.5 GHz
飽和功率
150W(典型值),130W(最小值)
效率
75 %
電源電壓
50 伏
漏電流
640毫安
包裝類型
法蘭式
包裹
陶瓷制品
CHA4253a98F
CHA8352-99F
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CHZ8012-QJA
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CHA3397-QDG
CHA5050-99F
CHA6652-QXG
CHA3396-QDG
CHA3660-QQG
CHA6653-QXG
CHA6550-QXG
CHA5350-99F
CHA4250-QDG
CHA5266-QDG
CHA5250-QDG
CHA3565-QAG
CHA5266-FAA
CHA5266-99F
CHA1008-99F
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