United Monolithic Semiconductors 的 CHZ180AaSEB 是一款 L 波段 GaN HEMT 晶體管，工作頻率為 1.2 至 1.4 GHz。它提供 180 W 的飽和輸出功率，增益為 20 dB，PAE 為 52%。該脈沖器件具有 3 ms 的脈沖寬度和 20% 的占空比。
CHZ180AaSEB 采用 GaN HEMT 工藝制造，柵極長度為 0.5μm，基于準(zhǔn) MMIC 技術(shù)。它采用密封法蘭陶瓷金屬功率封裝，提供低寄生電阻和熱電阻。該放大器適用于 L 波段和脈沖雷達(dá)應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號
CHZ180AaSEB
制造商
聯(lián)合單片半導(dǎo)體
描述
1.2 至 1.4 GHz 的 180 W GaN HEMT 晶體管
一般參數(shù)
晶體管類型
HEMT
技術(shù)
碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應(yīng)用行業(yè)
雷達(dá)、航空航天和國防
應(yīng)用
脈沖應(yīng)用
連續(xù)波/脈沖
連續(xù)波，脈沖
頻率
1.2 至 1.4 GHz
力量
52 至 54 dBm (Psat)
功率(W)
158.5 至 251.18 瓦（Psat）
脈沖寬度
1.5 毫秒
占空比
10%
小信號增益
17.5 至 22 分貝
功率附加效率
45 至 52 %
電源電壓
20 至 50 伏
擊穿電壓 - 漏源
200 伏
電壓 - 柵源 (Vgs)
-1.9 伏
當(dāng)前的
9個(gè)
漏電流
30安
靜態(tài)漏極電流
1.3 至 3 安
柵極漏電流 (Ig)
-10 毫安
結(jié)溫 (Tj)
220攝氏度
包裝類型
陶瓷，4孔法蘭
包裹
密封法蘭陶瓷
RoHS
是的
工作溫度
-40 至 85 攝氏度
貯存溫度
-55 至 150 攝氏度
CHA4220-QGG
CHA3024-QGG
CHA3024-99F
CHA5659-QXG
CHA3666-FAA
CHA4220-98F
CHA6356-QXG
CHA6252-QFG
CHA6558-99F
CHA5356-QGG
CHA6005-99F
CHA6005-QEG
CHA6362-QXG
CHA6552-QJG
CHA8012-99F
CHA3513-99F
CHA6250-QFG
CHA3514-99F
CHA3512-99F
CHA3511-99F
CHA6015-99F
CHA5012-99F
CHA3092-99F
CHA3218-99F
CHA7012-99F
CHA2494-98F
CHA2395-99F
CHA2494-QEG
CHA1077a98F
CHA2391-99F
CHA2411-QDG
CHA4105-QDG
CHA2095a99F
CHA5014-99F
CHA3689-99F
CHA4863-QGG
CHA3664-QAG
CHA2069-99F
CHA5115-QDG
CHA3023-99F
CHA2159-99F
CHA7215-99F
CHA2093-99F
CHA2194-99F
