Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGK6472-30A 是一款射頻晶體管，頻率為 6.4 至 7.2 GHz，功率為 44 至 45 dBm，功率（W）為 25.12 至 31.62 W，增益為 11.5 至 12.5 dB，功率附加效率為 0.4。標(biāo)簽：法蘭。SGK6472-30A 的更多詳細(xì)信息見(jiàn)下文。
| 零件號(hào) | SGK6472-30A |
|---|---|
| 功能 | C 波段內(nèi)部匹配 GaN-HEMT |
| 特征 |
|
| 描述 | SGK6472-30A 是一款高功率 GaN-HEMT，內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻段，可在 50Ω 系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。 |
| 頻率 f (GHz) | 6.4-7.2 |
|---|---|
| 2tone 測(cè)試 LM3 Typ. (分貝) | -45 |
| 2tone 測(cè)試 @Pout SCL (dBm) | 29.5 |
| 噘嘴典型。(分貝) | 45 |
| GL.Typ (dB) | 12.5 |
| 添加類型（%） | 40 |
| VDS 典型值 (V) | 24 |
| lDS(DC) 典型值(A) | 1.75 |
| lDS(RF) 典型值(A) | 2.7 |
| Rth典型值。(°C/W) | 2.2 |
| 操作模式 | 連續(xù)波操作 |
| 筆記 | Tc(op)=+25°C |
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號(hào)
SGK6472-30A
制造商
住友電工設(shè)備創(chuàng)新
描述
6.4 至 7.2 GHz、11.5 至 12.5 dB 增益 GaN on SiC HEMT
一般參數(shù)
晶體管類型
HEMT
技術(shù)
碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應(yīng)用行業(yè)
衛(wèi)星通信
申請(qǐng)類型
C波段
連續(xù)波/脈沖
連續(xù)波
頻率
6.4 至 7.2 GHz
力量
44 至 45 dBm
功率(W)
25.12 至 31.62 瓦
獲得
11.5 至 12.5 分貝
功率附加效率
0.4
跨導(dǎo)
3秒
電源電壓
24 伏
電壓 - 漏源 (Vdss)
24 伏
電壓 - 柵源 (Vgs)
-10 伏
漏電流
2.7 至 4 安
功耗 (Pdiss)
86.5 瓦
IMD
-45 至 -40 分貝
阻抗 Z
50 歐姆
熱阻
2.2 至 2.6 攝氏度/W
包裝類型
法蘭式
RoHS
是的
貯存溫度
-55 至 125 攝氏度
筆記
飽和漏極電流：6.5 A，正向柵極電流：6.1 mA，反向柵極電流：-3.2 mA
FLM3439-25F
FLM3742-12F
FLM3135-12F
FLM3742-8F
ELM7785-7PS
ELM5964-7PS
ELM6472-7PS
ELM6472-4PS
ELM7179-4PS
ELM7785-4PS
ELM5964-4PS
ELM7179-7PS
SGC8598-200A-R
SGC0910-300A-R
SGN3135-500H-R
