Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGK5867-30A 是一款射頻晶體管，頻率為 5.85 至 6.75 GHz，功率為 44 至 45 dBm，功率（W）為 25.12 至 31.62 W，增益為 12.5 至 13.5 dB，功率附加效率為 0.45。標(biāo)簽：法蘭。SGK5867-30A 的更多詳細(xì)信息見下文。
| 零件號(hào) | SGK5867-30A |
|---|---|
| 功能 | C 波段內(nèi)部匹配 GaN-HEMT |
| 特征 |
|
| 描述 | SGK5867-30A 是一款高功率 GaN-HEMT，內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻段，可在 50Ω 系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。 |
| 頻率 f (GHz) | 5.85-6.75 |
|---|---|
| 2tone 測(cè)試 LM3 Typ. (分貝) | -45 |
| 2tone 測(cè)試 @Pout SCL (dBm) | 29.5 |
| 噘嘴典型。(分貝) | 45 |
| GL.Typ (dB) | 13.5 |
| 添加類型（%） | 45 |
| VDS 典型值 (V) | 24 |
| lDS(DC) 典型值(A) | 1.75 |
| lDS(RF) 典型值(A) | 2.7 |
| Rth典型值。(°C/W) | 2.2 |
| 操作模式 | 連續(xù)波操作 |
| 筆記 | Tc(op)=+25°C |
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號(hào)
SGK5867-30A
制造商
住友電工設(shè)備創(chuàng)新
描述
5.85 至 6.75 GHz、12.5 至 13.5 dB 增益 GaN on SiC HEMT
一般參數(shù)
晶體管類型
HEMT
技術(shù)
碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應(yīng)用行業(yè)
衛(wèi)星通信
申請(qǐng)類型
C波段
連續(xù)波/脈沖
連續(xù)波
頻率
5.85 至 6.75 GHz
力量
44 至 45 dBm
功率(W)
25.12 至 31.62 瓦
獲得
12.5 至 13.5 分貝
功率附加效率
0.45
跨導(dǎo)
3秒
電源電壓
24 伏
電壓 - 漏源 (Vdss)
24 伏
電壓 - 柵源 (Vgs)
-10 伏
漏電流
2.7 至 4 安
功耗 (Pdiss)
86.5 瓦
IMD
-45 至 -40 分貝
阻抗 Z
50 歐姆
熱阻
2.2 至 2.6 攝氏度/W
包裝類型
法蘭式
RoHS
是的
貯存溫度
-55 至 125 攝氏度
筆記
飽和漏極電流：6.5 A，正向柵極電流：6.1 mA，反向柵極電流：-3.2 mA
FLC097WF
FLX207MH-12
FLC257MH-8
FLC087XP
FLC257MH-6
FLL400IP-2
FLK057WG
FLK107MH-14
FLU10ZME1
FLU35XM
FLM1415-3F
FLU10XM
FLU17ZME1
FLL177ME
FLL107ME
FLL57MK
FLU17XM
FLM1415-4F
FLM1415-6F
FLU35ZME1
FLM1415-8F
FLM1414-12F
ELM1414-30F/001
FLL357ME
ELM1314-30F/001
FLM1414-4F
FLM1414-3F
FLM1314-12F
FLM1314-18F
FLM1414-8F
FLM1414-6F
ELM1314-9F
FLM1314-6F
FLM1213-4F
FLM0910-4F
FLM1213-6F
FLM1213-12F
FLM0910-15F
FLM1011-8F
FLM1011-6F
FLM1314-8F
FLM1011-20F
FLM0910-3F
FLM1011-3F
