--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 頻率 2 至 11 GHz
- 插入損耗 0.73 至 1.82 分貝
- 隔離 20分貝
- 力量 45 dBm(最大值)(TX)和 40 dBm(RX)
- 力量 31 瓦(TX)和 10 瓦(RX)
--- 產(chǎn)品詳情 ---

Qorvo 的 QPC2511 是一款 GaN SP3T 開關(guān),工作頻率范圍為 2 至 11 GHz。它的開關(guān)速度小于 50 ns,并提供 20 dB 的隔離。該開關(guān)在發(fā)射時可以處理30 W的輸入功率,在接收時可以處理10 W的輸入功率,插入損耗為1.5 dB。它采用 Qorvo 的 QGaN15 0.15um GaN 在 SiC 生產(chǎn)工藝上制造,需要 0/-30 V 的控制電壓。該開關(guān)采用表面貼裝氣腔層壓封裝,尺寸為 4.00 x 4.00 x 1.48 mm,采用非常適合雷達、通信和電子戰(zhàn)應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號 QPC2511
制造商 科爾沃
描述 2 至 11 GHz 的 30 W GaN SP3T 開關(guān)
一般參數(shù)
配置 SP3T
終止 吸收性
應(yīng)用 電信
應(yīng)用行業(yè) 電子戰(zhàn)、雷達
頻率 2 至 11 GHz
插入損耗 0.73 至 1.82 分貝
隔離 20分貝
力量 45 dBm(最大值)(TX)和 40 dBm(RX)
力量 31 瓦(TX)和 10 瓦(RX)
電源電壓 -30 至 0 V
電源電流 10毫安
控制電壓 -40 V(最大)
開關(guān)速度 50 納秒
阻抗 50 歐姆
駐波比 3.0:1
包裝類型 芯片
包裹 24鉛氣腔層壓板
方面 4 x 4 x 1.48 毫米
過程 碳化硅上的氮化鎵
技術(shù) 氮化鎵
接觸 金(金)
工作溫度 -40 至 85 攝氏度
貯存溫度 -55 至 150 攝氏度
RoHS 是的
相關(guān)型號
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