--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 超寬帶頻率范圍 100 MHz 至 60 GHz
- 低插入損耗 1.0 dB 典型值,最高 18 GHz
- 低插入損耗 1.3 dB 典型值,最高 44 GHz
- 低插入損耗 1.5 dB 典型值,最高 55 GHz
- P1dB 28 dBm(典型值)
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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ADRF5424是一款反射式、單刀雙擲(SPDT)開關,采用連接在砷化鎵(GaAs)載波襯底上的硅工藝制造。該襯底集成了芯片和引線裝配焊盤,且器件底部經(jīng)過金屬化處理并接地。
該器件的工作頻率范圍為100 MHz至60 GHz,在55 GHz時提供優(yōu)于1.5 dB的插入損耗和35 dB隔離性能。ADRF5424的通過路徑和熱切換均具有27 dBm(高達40 GHz時)的RF輸入功率處理能力。
ADRF5424在+3.3 V正電源電壓和-3.3 V負電源電壓下分別消耗14 μA和120 μA的低電流。該器件具有互補金屬氧化物半導體(CMOS)/低壓晶體管對晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制特性。
ADRF5424設計用于匹配50 Ω的特征阻抗。
應用
- 測試和儀器儀表
- 蜂窩基礎設施:5G毫米波
- 軍用無線電、雷達和電子對抗(ECM)
- 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
- 超寬帶頻率范圍:100 MHz 至 60 GHz
- 反射式設計
- 用于線焊和帶狀鍵合的焊盤
- 低插入損耗
- 1.0 dB 典型值,最高 18 GHz
- 1.3 dB 典型值,最高 44 GHz
- 1.5 dB 典型值,最高 55 GHz
- 高輸入線性度
- P1dB:28 dBm(典型值)
- IP3:50 dBm(典型值)
- 高 RF 功率處理能力
- 直通路徑:27 dBm,高達 40 GHz
- 熱切換:27 dBm,高達 40 GHz
- 無低頻雜散信號
- RF 建立時間(50% VCTRL 至 0.1 dB 的最終 RF 輸出):17 ns
- 14 焊盤、2.471 毫米 x 2.571 毫米、載體上裸片 [CHIP]
ADRF5024
ADRF5025
ADRF5026
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