ADRF5032是一款反射式、單刀雙擲(SPDT)開(kāi)關(guān)，采用硅工藝制造。ADRF5032的工作頻率范圍為1 GHz至60 GHz，具有低于2.0 dB的插入損耗以及高于32 dB的隔離性能。該器件的通過(guò)路徑和熱切換分別具有24 dBm和21 dBm的RF輸入功率處理能力。
ADRF5032需要±3.3 V雙電源電壓供電。該器件采用CMOS和低電壓晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制特性。
ADRF5032采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的12引腳、2.5 mm × 2.5 mm、基板柵格陣列(LGA)封裝。ADRF5032的工作溫度范圍為-40°C至+105°C。
應(yīng)用
- 工業(yè)掃描儀
- 測(cè)試和儀器儀表
- 蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施：5G毫米波
- 軍用無(wú)線電、雷達(dá)、電子對(duì)抗(ECM)
- 微波無(wú)線電和甚小孔徑終端(VSAT)
- 超寬帶頻率范圍：1 GHz至60 GHz
- 反射式設(shè)計(jì)
- 低插入損耗
- 1.4 dB（典型值，高達(dá)40 GHz）
- 1.9 dB（典型值，高達(dá)55 GHz）
- 2.0 dB（典型值，高達(dá)60 GHz）
- 高隔離度
- 43 dB（典型值，高達(dá)40 GHz）
- 36 dB（典型值，高達(dá)55 GHz）
- 32 dB（典型值，高達(dá)60 GHz）
- 高輸入線性度
- P0.1dB：24 dBm（典型值）
-
- IP3：45 dBm（典型值）
- 高RF功率處理
- 通過(guò)路徑：24 dBm
- 熱切換路徑：21 dBm
- CMOS/LVTTL兼容
- RF開(kāi)關(guān)時(shí)間：15 ns
- RF建立時(shí)間（50% VCTRL至0.1 dB的RF輸出）：ns待定
- 雙電源供電：±3.3 V
- 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的12引腳、2.5 mm × 2.5 mm基板柵格陣列(LGA)封裝
HMC349AMS8G
HMC849A
HMC194A
HMC284A
HMC546LP2E
HMC546MS8G
HMC646
HMC536LP2
HMC536MS8G
ADG936
ADG904
ADG901
ADG902
ADG918
ADG919
