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ADL8104 是一款砷化鎵 (GaAs)、單片微波集成電路 (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 低噪聲寬帶高線性度放大器，工作范圍為 0.4 GHz 至 7.5 GHz。

ADL8104 在 0.6 GHz 到 6 GHz 時的典型增益為 15 dB，在 0.4 GHz 到 6 GHz 時的典型噪聲系數為 3.5 dB，在 0.6 GHz 到 6 GHz 時的典型輸出功率為 1 dB 壓縮的 (OP1dB) 20 dBm， 在 0.6 GHz 到 6 GHz 時的典型三階截取輸出 (OIP3) 為 32 dBm，漏極電源為 5 V 時的電流僅為 150 mA。該低噪聲放大器在 0.6 GHz 到 6 GHz 時具有典型值為 52 dBm 的高輸出二階截距 (OIP2)，使得 ADL8104 適合應用于軍事和測試儀器。

ADL8104 還具有內部匹配至 50 Ω 的輸入和輸出特性。RFIN 和 RFOUT 引腳內部交流耦合，并集成了偏置電感器，使得 ADL8104 非常適合基于表面貼裝技術 (SMT)、高密度的應用。

ADL8104 采用符合 RoHS 指令的 3 mm × 3 mm 16 引腳 LFCSP 封裝。

應用

• 測試儀器儀表
• 軍事通信
• 單一正電源（自偏置）
• 高 OIP2：0.6 GHz 到 7.5 GHz 時為 52 dBm（典型值）
• 高增益：0.6 GHz 到 6 GHz 范圍內為 15 dB（典型值）
• 高 OIP3：32 dBm（典型值）
• 低噪聲指數：0.4 GHz 到 6 GHz 范圍內為 3.5 dB（典型值）
• 兼容 RoHS 的 16 引腳 3 mm × 3 mm LFCSP

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