適用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 UVLO（以 GND 為基準(zhǔn)）的汽車類 5kVrms、17A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器
| Number of channels (#) | 1 |
| Isolation rating (Vrms) | 5000 |
| Power switch | IGBT, SiCFET |
| Peak output current (A) | 17 |
| DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) | 7000 |
| DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) | 2121 |
| Output VCC/VDD (Max) (V) | 33 |
| Output VCC/VDD (Min) (V) | 13.2 |
| Input VCC (Min) (V) | 3 |
| Input VCC (Max) (V) | 15 |
| Prop delay (ns) | 65 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (Typ) | 12 |
- 5kVRMS 單通道隔離式柵極驅(qū)動器
- 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)
- 溫度等級 1
- HBM ESD 分類等級 H2
- CDM ESD 分類等級 C6
- 以 GND2 為基準(zhǔn)的 12V UVLO
- 8 引腳 DWV（8.5mm 爬電）封裝
- 60ns（典型）傳播延遲
- 較小的部件間傳播延遲偏移
- 100V/ns 最小 CMTI
- 10A 最小峰值電流
- 3V 至 15V 輸入電源電壓
- 驅(qū)動器電源電壓高達(dá) 33V
- 輸入引腳具有負(fù) 5V 電壓處理能力
- 安全相關(guān)認(rèn)證：
- 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 標(biāo)準(zhǔn)的 7000VPK 隔離 (DWV)（計劃）
- 5000VRMS (DWV) 隔離等級長達(dá) 1 分鐘（符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)）
- 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 認(rèn)證
- CMOS 輸入
- 工作結(jié)溫范圍：–40°C 至 +150°C
UCC5390-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動器，具有 10A 峰值拉電流和 10A 峰值灌電流旨在驅(qū)動 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5390-Q1 的 UVLO2 以 GND2 為基準(zhǔn)，從而有利于使用雙極電源并優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開關(guān)行為和穩(wěn)健性。
UCC5390-Q1 采用 8.5mm SOIC-8 (DWV) 封裝，可支持高達(dá) 5kVRMS 的隔離電壓。輸入側(cè)通過 SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)相隔離，隔離層壽命超過 40 年。憑借高驅(qū)動強(qiáng)度和真正的 UVLO 檢測，該器件非常適用于在車載充電器和牽引逆變器等 應(yīng)用 中驅(qū)動 IGBT 和 SiC MOSFET。
與光耦合器相比，UCC5390-Q1 的部件間偏移更低，傳播延遲更小，工作溫度更高，并且 CMTI 更高。
