增強型產(chǎn)品完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器電源解決方案同步降壓控制器
| DDR memory type | DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, LPDDR2, LPDDR3 |
| Control mode | D-CAP, S4/S5 |
| Iout VDDQ (Max) (A) | 20 |
| Iout VTT (Max) (A) | 2 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.6 |
| Output | VDDQ, VREF, VTT |
| Vin (Min) (V) | 3 |
| Vin (Max) (V) | 28 |
| Features | Shutdown Pin for S3 |
| Rating | HiRel Enhanced Product |
- 同步降壓控制器 (VDDQ)
- 轉(zhuǎn)換電壓范圍：3 至 28 V
- 輸出電壓范圍：0.7 至 1.8 V
- 0.8% VREF 精度
- D-CAP? 模式，可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)
- 可選 300kHz/400kHz 開關(guān)頻率
- 自動跳過功能優(yōu)化了輕負載和重負載時的效率
- 支持 S4/S5 狀態(tài)下的軟關(guān)閉
- OCL/OVP/UVP/UVLO 保護
- 電源正常輸出
- 2A LDO (VTT)、緩沖基準 (VTTREF)
- 2A（峰值）灌電流和拉電流
- 只需 10μF 陶瓷輸出電容
- 經(jīng)緩沖的低噪聲 10mA VTTREF 輸出
- 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
- 在 S3 下支持高阻抗，在 S4/S5 下支持軟關(guān)閉
- 熱關(guān)斷
- 20 引腳 3mm × 3mm WQFN 封裝
- 支持國防、航天和醫(yī)療應(yīng)用
- 受控基線
- 一個組裝/測試基地
- 一個制造基地
- 支持軍用（-55°C 至 125°C）溫度范圍，(1)
- 延長了產(chǎn)品生命周期
- 延長了產(chǎn)品變更通知
- 產(chǎn)品可追溯性
(1)提供額外的溫度范圍 - 請聯(lián)系工廠
TPS51216-EP 以最少總成本和最小空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓器控制器 (VDDQ) 與 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO (VTT) 和緩沖低噪聲基準 (VTTREF) 相集成。TPS51216-EP 采用 D-CAP? 模式與 300kHz/400kHz 頻率相結(jié)合，以實現(xiàn)易用性和快速瞬態(tài)響應(yīng)。VTTREF 跟蹤 VDDQ/2 的精度優(yōu)于 0.8%。能夠提供 2A 灌電流/拉電流峰值電流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷電容器。此外，還提供專用的 LDO 電源輸入。
TPS51216-EP 提供豐富、實用的功能以及出色的電源性能。它支持靈活功率級控制，將 VTT 置于高阻抗狀態(tài)（處于 S3）并在 S4/S5 狀態(tài)下對 VDDQ、VTT 和 VTTREF 進行放電（軟關(guān)閉）。
