0.9V 至 6V 輸入、6A 輸出、D-CAP+ 模式的 SWIFT 同步降壓 DDR VTT 轉(zhuǎn)換器
| DDR memory type | DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3 |
| Control mode | D-CAP+ |
| Iout VTT (Max) (A) | 6 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.32 |
| Output | VREF, VTT |
| Vin (Min) (V) | 0.9 |
| Vin (Max) (V) | 6 |
| Features | Eco Mode, Fixed PWM Mode, Power Good, Tracking/Non-Tracking Mode |
| Rating | Catalog |
- 采用 TI 專有的集成金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和封裝技術(shù)
- 支持 DDR 內(nèi)存終止，具有高達 6A 的持續(xù)輸出源電流或者吸收電流
- 外部跟蹤
- 最少的外部組件數(shù)
- 0.9V 至 6V 轉(zhuǎn)換電壓
- D-CAP+ 模式架構(gòu)
- 支持所有多層片式陶瓷輸出電容器和 SP/POSCAP
- 可選跳躍 (SKIP) 模式或者強制 CCM
- 輕量級負載與重負載下的優(yōu)化效率
- 可選 600kHz 或者1MHz 開關(guān)頻率
- 可選過流限制 (OCL)
- 過壓、過熱和斷續(xù)欠壓保護
- 可調(diào)輸出電壓范圍為 0.45V 至 2V
- 3.5mm × 4mm 20 引腳超薄四方扁平無引線 (VQFN) 封裝
應(yīng)用
- 用于 DDR、DDR2、DDR3 和 DDR4 的存儲器終端穩(wěn)壓器
- VTT 終止
- 用于 0.9V 至 6V 輸入電源軌的低電壓應(yīng)用
All trademarks are the property of their respective owners.
TPS53317A 器件是一款設(shè)計為主要用于 DDR 終端的集成場效應(yīng)晶體管 (FET) 同步降壓穩(wěn)壓器。 它能夠提供一個值為 ? VDDQ的經(jīng)穩(wěn)壓輸出，此輸出具有吸收電流和源電流功能。 TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 運行模式，簡單易用，所需外部組件數(shù)較少并可提供快速瞬態(tài)響應(yīng)。 該器件還可用于其他電流要求高達 6A 的負載點 (POL) 穩(wěn)壓應(yīng)用。此外，該器件支持具有嚴(yán)格電壓調(diào)節(jié)功能的 6A 完整灌電流輸出。
該器件具有兩種開關(guān)頻率設(shè)定值（600kHz 和 1MHz），可提供集成壓降支持、外部跟蹤功能、預(yù)偏置啟動、輸出軟放電、集成自舉開關(guān)、電源正常功能、V5IN 引腳欠壓鎖定 (UVLO) 保護功能，支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 電容。 該器件支持的輸入電壓最高可達 6V，而輸出電壓在 0.45V 至 2.0V 范圍內(nèi)可調(diào)。
TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引腳超薄四方扁平無引線 (VQFN) 封裝（綠色環(huán)保，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)并且無鉛），其中應(yīng)用了 TI 專有的集成 MOSFET 和封裝技術(shù)，其額定運行溫度范圍為 –40°C 至 85°C。
