具有 4V UVLO 和 5V 穩(wěn)壓輸出的 4A/6A 單通道柵極驅(qū)動器
| Number of channels (#) | 1 |
| Power switch | MOSFET, GaNFET |
| Peak output current (A) | 6 |
| Input VCC (Min) (V) | 4 |
| Input VCC (Max) (V) | 18 |
| Features | Split Output, Regulated gate driver voltage |
| Operating temperature range (C) | -40 to 140 |
| Rise time (ns) | 9 |
| Fall time (ns) | 4 |
| Prop delay (ns) | 14 |
| Input threshold | CMOS, TTL |
| Channel input logic | Inverting, Non-Inverting |
| Input negative voltage (V) | 0 |
| Rating | Catalog |
| Undervoltage lockout (Typ) | 4 |
| Driver configuration | Low Side |
- 增強模式氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (FET) (eGANFET)
- 4V 到 18V 單電源供電電壓范圍
- 5V的驅(qū)動電壓 VREF
- 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅(qū)動
- 1? 和 0.35? 上拉和下拉電阻（最大限度提升對高轉(zhuǎn)換率 dV 和 dt 的抗擾度）
- 分離輸出配置（可實現(xiàn)針對各個 FET 的導通和關(guān)斷優(yōu)化）
- 傳輸延遲?。ǖ湫椭禐?14ns）
- 快速上升和下降時間（典型值分別為 9ns 和 5ns）
- TTL 和 CMOS 兼容輸入（不受電源電壓影響，很容易連接至數(shù)字和模擬控制器）
- 雙輸入設(shè)計實現(xiàn)了靈活驅(qū)動（反相配置和同相配置均受支持）
- 當輸入懸空時輸出保持在低電平
- VDD 欠壓鎖定 (UVLO)
- 采用與 eGANFET 兼容的優(yōu)化引腳分布，方便進行布局布線
- 具有外露散熱焊盤和接地焊盤的 2.00mm × 2.00mm 小外形尺寸無引線 (SON)-6 封裝（最大限度降低寄生電感以減少柵極振鈴）
- 工作溫度范圍：-40°C 至 140°C
UCC27611 是一款針對 5V 驅(qū)動而進行優(yōu)化的單通道、高速、柵極驅(qū)動器，它專門用來對增強模式 GaN FET 進行尋址。驅(qū)動電壓 VREF 被內(nèi)部線性穩(wěn)壓器精確穩(wěn)壓至 5V。UCC27611 提供 4A 拉電流和 6A 灌電流的非對稱軌到軌峰值電流驅(qū)動能力。憑借分離輸出配置，可根據(jù) FET 優(yōu)化其導通和關(guān)斷時間。具有最低寄生電感的封裝和引腳分配減少了上升和下降時間并限制了振鈴。此外，具有最小容差和變化的短傳播延遲可實現(xiàn)高頻時的有效運行。1Ω 和 0.35Ω 電阻提升了針對高轉(zhuǎn)換率 dV 和 dt 所致硬開關(guān)的抗擾度。
不受 VDD 輸入信號閾值的影響確保了 TTL 和 CMOS 低壓邏輯兼容性。出于安全方面的考慮，當輸入引腳處于懸空狀態(tài)時，內(nèi)部輸出上拉和下拉電阻將輸出保持在低電平。VREF 引腳上的內(nèi)部電路具有欠壓鎖定功能，可在 VREF 電源電壓處于工作范圍內(nèi)之前，將輸出保持在低電平。UCC27611 采用具有外部散熱焊盤和接地焊盤的小型 2.00mm × 2.00mm SON-6 封裝 (DRV)，提升了封裝功率處理能力。UCC27611 運行在 –40°C 至 140°C 的寬溫度范圍內(nèi)。
