| Bus voltage (Max) (V) | 110 |
| Power switch | MOSFET |
| Input VCC (Min) (V) | 8 |
| Input VCC (Max) (V) | 17 |
| Peak output current (A) | 4 |
| Rise time (ns) | 8 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 140 |
| Undervoltage lockout (Typ) | 8 |
| Rating | Catalog |
| Number of channels (#) | 2 |
| Fall time (ns) | 7 |
| Prop delay (ns) | 20 |
| Iq (uA) | 1 |
| Input threshold | TTL, Pseudo-CMOS |
| Channel input logic | CMOS |
| Negative voltage handling at HS pin (V) | -12 |
| Driver configuration | Dual, Non-Inverting, CMOS Compatible |
- 可通過獨立輸入驅(qū)動兩個采用高側(cè)/低側(cè)配置的 N 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)
- 最大引導(dǎo)電壓 120V 直流
- 4A 吸收，4A 源輸出電流
- 0.9Ω 上拉和下拉電阻
- 輸入引腳能夠耐受 -10V 至 20V 的電壓，并且與電源電壓范圍無關(guān)
- 晶體管-晶體管邏輯電路 (TTL) 或偽 CMOS 兼容輸入版本
- 8V 至 17V VDD 運行范圍（絕對最大值 20V）
- 7.2ns 上升時間和 5.5ns 下降時間（采用 1000pF 負載時）
- 短暫傳播延遲時間（典型值 18ns)
- 2ns 延遲匹配
- 用于高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器的對稱欠壓鎖定功能
- 可提供全部行業(yè)標準封裝（小外形尺寸集成電路 (SOIC)-8 封裝， PowerPADSOIC-8 封裝，4mm × 4mm SON-8 封裝以及 4mm × 4mm SON-10 封裝）
- -40℃ 至 140℃ 的額定溫度范圍
應(yīng)用
- 針對電信，數(shù)據(jù)通信和商用的電源
- 半橋和全橋轉(zhuǎn)換器
- 推挽轉(zhuǎn)換器
- 高電壓同步降壓轉(zhuǎn)換器
- 兩開關(guān)正激式轉(zhuǎn)換器
- 有源箝位正激式轉(zhuǎn)換器
- D 類音頻放大器
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UCC27210 和 UCC27211 驅(qū)動器是基于廣受歡迎的 UCC27200 和 UCC27201 MOSFET 驅(qū)動器，但性能得到了顯著提升。峰值輸出上拉和下拉電流已經(jīng)被提高至 4A 拉電流和 4A 灌電流，并且上拉和下拉電阻已經(jīng)被減小至 0.9Ω，因此可以在 MOSFET 的米勒效應(yīng)平臺轉(zhuǎn)換期間用盡可能小的開關(guān)損耗來驅(qū)動大功率 MOSFET?，F(xiàn)在，輸入結(jié)構(gòu)能夠直接處理 -10 VDC，這提高了穩(wěn)健耐用性，并且無需使用整流二極管即可實現(xiàn)與柵極驅(qū)動變壓器的直接對接。這些輸入與電源電壓無關(guān)，并且具有 20V 的最大額定值。
UCC2721x 的開關(guān)節(jié)點（HS 引腳）最高可處理 -18V 電壓，從而保護高側(cè)通道不受寄生電感和雜散電容所固有的負電壓影響。UCC27210（偽 CMOS 輸入）和 UCC27211（TTL 輸入）已經(jīng)增加了滯后特性，從而使得到模擬或數(shù)字脈寬調(diào)制 (PWM) 控制器接口的抗擾度得到了增強。
低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動器是獨立控制的，并在彼此的接通和關(guān)斷之間實現(xiàn)了 2ns 的延遲匹配。
由于在芯片上集成了一個額定電壓為 120V 的自舉二極管，因此無需采用外部分立式二極管。高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器均配有欠壓鎖定功能，可提供對稱的導(dǎo)通和關(guān)斷行為，并且能夠在驅(qū)動電壓低于指定閾值時將輸出強制為低電平。
兩款器件均提供 8 引腳 SOIC (D)、PowerPAD SOIC-8 (DDA)、4mm × 4mm SON-8 (DRM) 和 SON-10 (DPR) 封裝。
