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TIMOSFETCSD97395Q4M

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CSD97395Q4M 高頻同步降壓 NexFET? 功率級
VDS (V) 30
Power loss (W) 2.3
Ploss current (A) 15
Configuration PowerStage
ID - continuous drain current at Ta=25degC (A) 25
Package (mm) QFN 3.5 x 4.5 proprietary footprint
Operating temperature range (C) -40 to 150

CSD97395Q4M NexFET 功率級的設(shè)計經(jīng)過高度優(yōu)化，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。 這個產(chǎn)品集成了驅(qū)動器集成電路 (IC) 和 NexFET 技術(shù)來完善功率級開關(guān)功能。 此驅(qū)動器 IC 具有一個內(nèi)置可選二極管仿真功能，此功能可啟用斷續(xù)傳導(dǎo)模式 (DCM) 運行來提升輕負載效率。 此外，驅(qū)動器 IC 支持 ULQ 模式，此模式支持針對 Windows 8 的聯(lián)網(wǎng)待機功能。借助于三態(tài) PWM 輸入，靜態(tài)電流可減少至 130μA，并支持立即響應(yīng)。 當 SKIP# 保持在三態(tài)時，電流可減少至 8μA（恢復(fù)切換通常需要 20μs）。 這個組合在小型 3.5 x 4.5mm 外形尺寸封裝中實現(xiàn)具有高電流、高效和高速開關(guān)功能的器件。 此外，印刷電路板 (PCB) 封裝已經(jīng)過優(yōu)化，可幫助減少設(shè)計時間并簡化總體系統(tǒng)設(shè)計的完成。

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