耐輻射 QMLV、4.5V 至 14V 輸入、3.5A 負載開關/電子保險絲
| FET | Internal |
| Ron (Typ) (mOhm) | 54 |
| Vin (Min) (V) | 4.5 |
| Vin (Max) (V) | 14 |
| Vabsmax_cont (V) | 16 |
| Overcurrent response | Circuit breaker |
| Fault response | Auto-retry |
- 電離輻射總劑量 (TID) 為 100krad(Si)
- 抗輻射加固保障為 100krad(Si)
- 確定了單粒子效應 (SEE)
- 單粒子鎖定 (SEL)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子柵穿 (SEGR) 對于線性能量傳遞 (LET) 的抗擾度 = 75MeV-cm2/mg*
- 單粒子功能中斷 (SEFI) 和單粒子瞬變 (SET) 對于 LET 的額定值 = 75MeV-cm2/mg*
- 集成式單通道 eFuse
- 輸入電壓范圍：4.5 V 至 14 V
- 低導通電阻 (RON)，在溫度為 25°C 和輸入電壓為 12V 時具有 60mΩ 的最大值
- 3.5A 最大持續(xù)開關電流
- 低控制輸入閾值支持使用 1.2V、1.8V、2.5V 和 3.3V 邏輯電平
- 可配置上升時間（軟啟動）
- 反向電流保護 (RCP)
- 過壓保護 (OVP)
- 內(nèi)部電流限制（快速跳變）
- 熱關斷
- 帶散熱墊的陶瓷封裝
- 支持軍用（–55°C 至 125°C）溫度范圍
TPS7H2211-SP 是一個單通道 eFuse（具有附加功能的集成 FET 負載開關），可提供反向電流保護、過壓保護和可配置的上升時間，以更大限度減少浪涌電流（軟啟動）。此器件包含一個可在 4.5V 至 14V 輸入電壓范圍內(nèi)運行的 P 溝道 MOSFET，并且支持最大 3.5A 的持續(xù)電流。
開關由可與低壓控制信號直接連接的打開和關閉輸入 (EN) 控制。過壓保護和軟啟動可通過 OVP 和 SS 引腳使用很少的外部組件進行編程。TPS7H2211-SP 采用陶瓷封裝，帶有外露散熱墊，可提高散熱性能。
