用于驅(qū)動背對背 NFET 的 3V 至 65V、汽車?yán)硐攵O管控制器
| Vin (Min) (V) | 3 |
| Vin (Max) (V) | 65 |
| Number of channels (#) | 2 |
| Features | Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection |
| Iq (Typ) (mA) | 0.412 |
| Iq (Max) (mA) | 0.495 |
| FET | External back-to-back FET |
| IGate source (Typ) (uA) | 20000 |
| IGate sink (Typ) (mA) | 2670 |
| IGate pulsed (Typ) (A) | 2.6 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| VSense reverse (Typ) (mV) | -4.5 |
| Design support | EVM, Simulation Model |
| Rating | Automotive |
| VGS (Max) (V) | 15 |
- 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)
- 器件溫度等級 1： –40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類等級 2
- 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
- 3V 至 65V 輸入范圍
- 反向輸入保護低至 –65V
- 在共漏極和共源極配置下，可驅(qū)動外部背對背 N 溝道 MOSFET
- 10.5mV 陽極至陰極正向壓降調(diào)節(jié)下，理想二極管正常運行 (LM74800-Q1)
- 低反向檢測閾值 (–4.5mV)，能夠快速響應(yīng) (0.5μs)
- 20mA 峰值柵極 (DGATE) 導(dǎo)通電流
- 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
- 可調(diào)節(jié)過壓保護
- 2.87μA 低關(guān)斷電流（EN/UVLO = 低電平）
- 采用合適的 TVS 二極管，符合汽車 ISO7637 瞬態(tài)要求
- 采用節(jié)省空間的 12 引腳 WSON 封裝
LM7480x-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背對背 N 溝道 MOSFET，從而模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護負(fù)載免受低至 –65V 的負(fù)電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 可驅(qū)動第一個 MOSFET 來代替肖特基二極管，以實現(xiàn)反向輸入保護和輸出電壓保持。在電源路徑中使用了第二個 MOSFET 的情況下，該器件允許負(fù)載斷開（開/關(guān)控制）并使用 HGATE 控制提供過壓保護。該器件具有可調(diào)節(jié)過壓切斷保護功能。LM7480-Q1 有兩種型號：LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。LM74800-Q1 使用線性穩(wěn)壓和比較器方案來實現(xiàn)反向電流阻斷功能，而 LM74801-Q1 支持基于比較器的方案。通過功率 MOSFET 的共漏極配置，可以使用另一個理想二極管將中點用于 OR-ing 設(shè)計。LM7480x-Q1 的最大額定電壓為 65V。通過在共源極拓?fù)渲袨槠骷渲猛獠?MOSFET，可以保護負(fù)載免受過壓瞬態(tài)（例如 24V 電池系統(tǒng)中未抑制的 200V 負(fù)載突降）的影響。
