耐輻射 QMLV、1.5V 至 7V 輸入、6A 負(fù)載開關(guān)/電子保險(xiǎn)絲
| FET | Internal |
| Ron (Typ) (mOhm) | 34 |
| Vin (Min) (V) | 1.5 |
| Vin (Max) (V) | 7 |
| Vabsmax_cont (V) | 7.5 |
| Current limit (Min) (A) | 0.5 |
| Current limit (Max) (A) | 7.5 |
| Overcurrent response | Circuit breaker, Current limiting |
| Fault response | Auto-retry |
- 輻射性能：
- 抗輻射加固保障 (RHA) 高達(dá) 100krad (Si) TID
- 單粒子鎖定 (SEL)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子?xùn)糯?(SEGR) 對于 LET 的抗擾度 = 75MeV-cm2/mg
- SEFI/SET 對于
LET 的額定值 = 75MeV-cm2/mg
- 集成型單通道負(fù)載開關(guān)
- 輸入電壓范圍：1.5V 至 7V
- 低導(dǎo)通電阻 (RON)，在溫度為 25°C 和輸入電壓為 5V 時具有 35mΩ 的最大值
- 6A 最大持續(xù)開關(guān)電流
- 低控制輸入閾值支持使用
1.2V、1.8V、2.5V 和 3.3V 邏輯器件 - 可配置上升時間（軟啟動）
- 反向電流保護(hù)
- 可編程和內(nèi)部電流限制
（快速跳變） - 可編程故障計(jì)時器（電流限制和
重試模式） - 熱關(guān)斷
- 帶散熱墊的陶瓷封裝
TPS7H2201-SP 是一款單通道負(fù)載開關(guān)，可提供用于最大限度地降低浪涌電流的可配置上升時間和反向電流保護(hù)。此器件包括一個 P 溝道 MOSFET，可在 1.5V 至 7V 的輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行并可支持 6A 的最大持續(xù)電流。此開關(guān)由一個開關(guān)輸入 (EN) 控制，該輸入能夠直接連接至低電壓控制信號。
TPS7H2201-SP 采用具有集成式散熱墊的陶瓷封裝，從而支持高功率耗散。該器件在自然通風(fēng)環(huán)境下的額定運(yùn)行溫度范圍為 –55°C 至 125°C。
