ADRF5515A是一款雙通道、集成RF、前端、多芯片模塊，設(shè)計用于時分雙工(TDD)應(yīng)用。該設(shè)備的工作頻率為3.3 GHz至4.0 GHz。ADRF5515A采用雙通道配置，包含級聯(lián)兩級低噪聲放大器(LNA)和高功率硅單刀雙擲(SPDT)開關(guān)。
在高增益模式下，級聯(lián)兩級LNA和開關(guān)提供1.05 dB的低噪聲系數(shù)和36 dB的高增益（頻率為3.6 GHz）以及35 dBm（典型值）的輸出3階交調(diào)(OIP3)點。在低增益模式下，兩級LNA的一級處于旁路狀態(tài)，在48 mA的較低電流下提供17 dB的增益。在關(guān)斷模式下，LNA都會關(guān)閉且器件功耗為13 mA。
在發(fā)射操作中，當(dāng)RF輸入連接到端電極引腳（TERM-CHA或TERM-CHB）時，該開關(guān)提供0.5 dB的低插入損耗，并在整個生命周期內(nèi)處理43 dBm的長期演進(jìn)(LTE)平均功率（9 dB峰值/平均值比(PAR)）。
該器件采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的緊湊型、6 mm × 6 mm、40引腳架構(gòu)芯片級封裝(LFCSP)。
應(yīng)用
- 無線基礎(chǔ)設(shè)施
- TDD大規(guī)模多路輸入和多路輸出和有源天線系統(tǒng)
- 基于TDD的通信系統(tǒng)
- 集成式雙通道 RF 前端
- 2 級 LNA 和高功率硅 SPDT 交換芯片
- 片內(nèi)偏置和匹配
- 單電源供電
- TCASE = 105°C 時具有高功率處理能力
- LTE 平均功率 (9 dB PAR) 整個生命周期：43 dBm
- 增益
- 高增益模式：3.6 GHz 時為 36 dB（典型值）
- 低增益模式：3.6 GHz 時為 17 dB（典型值）
- 低噪聲指數(shù)
- 高增益模式：3.6 GHz 時為 1.05 dB（典型值）
- 低增益模式：3.6 GHz 時為 1.05 dB（典型值）
- 高隔離
- RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB：47 dB（典型值）
- TERM-CHA 和 TERM-CHB：75 dB（典型值）
- 低插入損耗：3.6 GHz 時為 0.5 dB（典型值）
- 高 OIP3：35 dBm（典型值）
- 關(guān)斷模式和低增益模式
- 低電源電流
- 高增益模式：5 V 時為 95 mA（典型值）
- 低增益模式：5 V 時為 48 mA（典型值）
- 關(guān)斷模式：5 V 時為 13 mA（典型值）
- 正邏輯控制
- 6 mm × 6 mm 40 引腳 LFCSP 封裝
- 與ADRF5515 和 ADRF5519，以及 10 W 版本，ADRF5545A 和 ADRF5549 的引腳兼容。
