ADRF5519 是一款雙通道、集成射頻前端多芯片模塊，專為工作頻率范圍為 2.3 GHz 至 2.8 GHz 的時分雙工 (TDD) 應用而設計。ADRF5519 配置為雙通道，具有級聯兩級低噪聲放大器 (LNA) 和高功率硅單刀雙擲 (SPDT) 開關。
在高增益模式下，級聯的兩級 LNA 和開關在 2.6 GHz 時提供 1.0 dB 的低噪聲系數 (NF) 和 35 dB 的高增益，輸出三階截點 (OIP3) 為 32 dBm（典型值） ）。在低增益模式下，兩級 LNA 的一級處于旁路，在 36 mA 的較低電流下提供 14 dB 的增益。在掉電模式下，LNA 關閉，器件消耗 12 mA。
在發(fā)射操作中，RF 輸入連接到終端引腳（ANT-CHA 或 ANT-CHB 分別連接到 TERM-CHA 或 TERM-CHB）。該開關提供 0.5 dB 的低插入損耗，并處理 43 dBm 的長期演進 (LTE) 平均功率（9 dB 峰均比 (PAR)），以實現全壽命運行。
該器件采用符合 RoHS 標準的緊湊型 6 mm × 6 mm、40 引腳 LFCSP 封裝。
應用
- 無線基礎設施
- TDD海量多輸入多輸出和有源天線系統(tǒng)
- 基于TDD的通信系統(tǒng)
- 集成式雙通道 RF 前端
- 2 級 LNA 和高功率硅 SPDT 交換芯片
- 片內偏置和匹配
- 單電源供電
- TCASE = 105°C 時具有高功率處理能力
- LTE 平均功率 (9 dB PAR) 整個生命周期：43 dBm
- 增益
- 高增益模式：2.6 GHz 時為 35 dB（典型值）
- 低增益模式：2.6 GHz 時為 14 dB（典型值）
- 低噪聲指數
- 高增益模式：2.6 GHz 時為 1.0 dB（典型值）
- 低增益模式：2.6 GHz 時為 1.0 dB（典型值）
- 高隔離
- RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB：45 dB（典型值）
- TERM-CHA 和 TERM-CHB：60 dB（典型值）
- 低插入損耗：2.6 GHz 時為 0.5 dB（典型值）
- 高 OIP3：32 dBm（典型值）
- 關斷模式和低增益模式
- 低電源電流
- 高增益模式：5 V 時為 110 mA（典型值）
- 低增益模式：5 V 時為 36 mA（典型值）
- 關斷模式：5 V 時為 12 mA（典型值）
- 正邏輯控制
- 6 mm × 6 mm 40 引腳 LFCSP 封裝
- 引腳與 ADRF5545A 和 ADRF5549 10 W 版本兼容
