HMC787A是一款通用型雙平衡混頻器，采用符合RoHS標準的12引腳陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝，可用作3 GHz至10 GHz范圍內(nèi)的上變頻器或下變頻器。該混頻器采用砷化鎵(GaAs)金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝制造，無需外部元件或匹配電路。HMC787A通過優(yōu)化的巴倫結構提供出色的本振(LO)至射頻(RF)及LO至中頻(IF)隔離性能，采用17 dBm的LO驅動電平工作。陶瓷LCC封裝無需線焊，與高容量表貼制造技術兼容。
HMC787AG（芯片）
HMC787AG是一款通用型雙平衡混頻器，可用作3 GHz至10 GHz頻率范圍的上變頻器或下變頻器。該混頻器采用砷化鎵(GaAs)金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝制造，無需外部元件或匹配電路。
HMC787AG通過優(yōu)化的巴倫結構提供高本振(LO)至RF及LO至中頻(IF)隔離性能，采用13 dBm至21 dBm的LO驅動電平工作。
應用
- 微波無線電
- 工業(yè)、科研和醫(yī)療(ISM)頻段和超寬頻段(UWB)無線電
- 測試設備和傳感器
- 軍用最終用途
HMC787ALC3B
- 轉換損耗：9 dB（典型值，3 GHz至9 GHz時）
- 本振(LO)至射頻(IF)隔離：43 dB（典型值，3 GHz至9 GHz時）
- RF至中頻(IF)隔離：26 dB（典型值，3 GHz至9 GHz時）
- 輸入三階交調(diào)截點(IP3)：24 dBm（典型值，3 GHz至9 GHz時）
- 輸入1 dB壓縮點(P1dB)：17 dBm（典型值，3 GHz至9 GHz時）
- 輸出二階交調(diào)截點(IP2)：67 dBm（典型值，3 GHz至9 GHz時）
- 無源雙平衡拓撲結構
- 寬IF頻率范圍：DC至4 GHz
- 12引腳、陶瓷、無鉛芯片載體(LCC)封裝
HMC787AG（芯片）
下變頻器
- 變頻損耗
- 8 dB（典型值，3 GHz至7 GHz）
- 10 dB（典型值，7 GHz至10 GHz）
- LO至IF隔離
- 44 dB（典型值，3 GHz至7 GHz）
- 42 dB（典型值，7 GHz至10 GHz）
- RF至IF隔離
- 21 dB（典型值，3 GHz至7 GHz）
- 32 dB（典型值，7 GHz至10 GHz）
- 輸入IP3
- 22 dBm（典型值，3 GHz至7 GHz）
- 28 dBm（典型值，7 GHz至10 GHz）
- 輸入P1dB
- 15 dBm（典型值，3 GHz至7 GHz）
- 17 dBm（典型值，7 GHz至10 GHz）
- 無源雙平衡拓撲結構
- 寬IF頻率范圍：DC至4 GHz
- 6焊盤、裸片[芯片]
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