概述描述:
這些HEXFET國雙SO-8封裝的功率MOSFET
利用最新的加工技術(shù)達到極致
單位硅面積的低導通電阻。的附加功能
這些HEXFET功率MOSFET是一個150°C結(jié)
工作溫度，開關(guān)速度快，提高
重復雪崩額定值。
這些優(yōu)勢結(jié)合起來可以使得這種設計成為非常有效和可靠設備用于各種各樣的應用。
高效的S0-8封裝增強了散熱性能
特性和雙MOSFET芯片能力使其成為可能非常適合各種電源應用。
這個雙重的表面安裝SO-8可以顯著減少電路板空間也有以磁帶和卷軸形式。
- 先進加工技術(shù)
- 超低導通電阻
- 雙P溝道MOSFET
- 表面黏著方式
- 提供磁帶和卷軸
- 150°C工作溫度
- 無鉛的
相關(guān)：
IRF7342TRPBF
IRF7342PBF
IRF7307
IRF7319
IRF7304
IRF7342D2PBF
AUIRF7342QTR
IRF7311PBF
IRF7389
IRF7335D1
IRF7389TR
