--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 電源 +12V和+5V
- 封裝 QFN
- 封裝 QFN
--- 產(chǎn)品詳情 ---

MAX34561是一款完全集成的雙通道、自保護、可復(fù)位熱插拔開關(guān)。器件減少了在12V和5V背板上安全地帶電插入、拔出板卡時所需的元件數(shù)量。為了減小方案尺寸并簡化設(shè)計,器件在單芯片內(nèi)集成了兩個完備的熱插拔控制器,對兩路電源進行完全控制。12V電源具有68mΩ n溝道功率MOSFET,用于12V負載;5V電源具有43mΩ n溝道功率MOSFET,用于5V負載,無需外部MOSFET和獨立的控制器。器件設(shè)計用于需要限制12V和5V電源電流的系統(tǒng),非常適合熱插拔應(yīng)用,例如:企業(yè)級硬盤、服務(wù)器/路由器、PCI Express? (PCIe?)和InfiniBand?系統(tǒng)、基站等應(yīng)用。
集成功率MOSFET能夠提供可靠保護,支持9V至13.2V負載供電并可提供高達2.0A的連續(xù)電流;同樣,采用4V至5.5V供電時,5V側(cè)電源可以為負載提供高達2.0A的連續(xù)電流。功率MOSFET采用有源閉環(huán)控制,確保施加電源時不會超過可調(diào)節(jié)的限流門限。器件控制施加電壓的擺率,對輸出電壓進行無條件箝位,避免由于輸入過壓導(dǎo)致負載損壞。器件為每路負載提供可獨立調(diào)節(jié)的上電定時器,使器件在開始向負載供電之前等待預(yù)先定義的延遲時間;或者,器件也可以由數(shù)字邏輯信號驅(qū)動,由外部控制電源使能。
器件提供帶有滯回的集成溫度傳感器,用于每路功率MOSFET。如果工作條件導(dǎo)致任一功率MOSFET超過內(nèi)部溫度門限,則根據(jù)引腳選擇采取兩種措施之一:無條件關(guān)斷MOSFET并閉鎖,等待上電復(fù)位;或者保持MOSFET供電,直到器件溫度降低了設(shè)置的滯回值,然后重新啟動。
應(yīng)用
- 基站
- InfiniBand
- PCI/PCI Express
- RAID/硬盤驅(qū)動器
- 服務(wù)器/路由器
- 完全集成的+12V和+5V電源熱插拔控制器
- DS4560的雙通道版本
- 內(nèi)置功率MOSFET (68mΩ和43mΩ)
- 無需大功率RSENSE電阻
- 可調(diào)節(jié)限流
- 可調(diào)節(jié)輸出電壓擺率
- 可調(diào)節(jié)上電使能定時
- 輸出過壓限制
- 內(nèi)置熱保護
- 內(nèi)置電荷泵
- 用戶可選擇閉鎖或自動重試模式
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