900 V、280 mΩ、11.5 A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立 SiC MOSFET

Wolfspeed 擴大了其在碳化硅 (SiC) 技術(shù)低電感分立封裝領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，具有寬爬電距離和漏極與源極之間的間隙距離 (~8mm)。充分利用最新 MOSFET 芯片的高頻能力，同時提供適合高污染環(huán)境的額外電氣隔離。獨立的開爾文源極引腳可降低電感，從而將開關(guān)損耗降低多達(dá) 30%。設(shè)計人員可以通過從基于硅的三電平拓?fù)滢D(zhuǎn)向更簡單的兩電平拓?fù)洌ㄍㄟ^改進(jìn)的開關(guān)性能實現(xiàn)）來減少元件數(shù)量。

特征

• 整個工作溫度范圍內(nèi) Vbr 最低為 900V
• 帶驅(qū)動源的低阻抗封裝
• 高阻斷電壓和低 R DS(on)
• 具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
• 易于并聯(lián)且驅(qū)動簡單

好處

• 通過降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗提高系統(tǒng)效率
• 實現(xiàn)高開關(guān)頻率操作
• 提高系統(tǒng)級功率密度
• 減小系統(tǒng)尺寸；重量; 和冷卻要求
• 支持新的硬開關(guān)拓?fù)洌▓D騰柱 PFC）

應(yīng)用領(lǐng)域

• 電機控制
• 電動汽車充電系統(tǒng)
• 不間斷電源 (UPS)
• 電池管理系統(tǒng)
• 快速電動汽車充電系統(tǒng)
• 車載充電
• 傳動系統(tǒng)
• 焊接