1200 V、40 mΩ、60 A、第 2 代裸片 SiC MOSFET
特征
- 具有低反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 的穩(wěn)健本征二極管
- 具有低輸出電容的高速開關(guān)
- 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的傳導(dǎo)損耗較低
- 雪崩堅(jiān)固性
好處
- 提高系統(tǒng)效率并降低開關(guān)損耗
- 減小系統(tǒng)尺寸；重量; 和冷卻要求
- 增加功率密度
應(yīng)用領(lǐng)域
- 可再生能源逆變器
- 高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器
- 開關(guān)模式電源
MOSFET CPM3-0650-0015A
CPM3-0650-0045A
CPM3-0650-0060A
EPM3-0750-0010D
CPM3-0900-0010A
CPM3-0900-0030A
CPM3-0900-0065A
EPM3-1200-R013D
CPM3-1200-0013A
EPM3-1200-0014D1
EPM3-1200-R015D
CPM3-1200-0016A
EPM3-1200-0017D1-R01
EPM3-1200-0017D-R01
CPM3-1200-0021A
CPM2-1200-0025A
CPM3-1200-0032A
CPM2-1200-0040A
CPM3-1200-0075A
CPM2-1200-0080A
CPM3-1200-0160A
CPM3-1700-R020E
CPM3-3300-R050A
