--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 輸入/輸出電壓 800V
- 封裝 N/A
- 封裝 N/A
--- 產(chǎn)品詳情 ---

該評(píng)估板演示了采用半橋拓?fù)渑渲玫?TO-247-4 封裝中 1200V 75mΩ 碳化硅 (SiC) C3M? MOSFET 的開(kāi)關(guān)和熱性能。該板設(shè)計(jì)用于表征碳化硅 MOSFET 的E ON和 E OFF損耗以及穩(wěn)態(tài)熱性能。該板可配置為在同步或異步模式下作為降壓或升壓轉(zhuǎn)換器運(yùn)行。PCB 還支持用 TO-247-3 封裝組件替換 SiC MOSFET,以便對(duì)任一封裝進(jìn)行評(píng)估。包含幾乎與硬件性能相匹配的寄生元件的完整 LTSpice 模型可供下載。
該設(shè)計(jì)允許測(cè)量:
- 時(shí)序(T延遲開(kāi)啟;T延遲關(guān)閉;T上升;T下降)
- 過(guò)沖(V DS-Max;I D-Max)
- 速度(di/dt;dv/dt)
- 開(kāi)關(guān)損耗(E ON;E OFF;E RR)
- 運(yùn)行時(shí)效率高達(dá) 2.5kW
規(guī)格
- 最大直流輸入/輸出電壓 800V
- 最大功率為 2.5kW @ 100kHz(受板載電感器限制;使用備用電感器可實(shí)現(xiàn)更高級(jí)別)
- 兼容TO-247-4和TO-247-3 SiC MOSFET;
- 與 TO-247 和 TO-220 SiC 肖特基二極管兼容
- 每個(gè) C3M SiC MOSFET 都有專用柵極驅(qū)動(dòng)器和隔離電源
- 優(yōu)化了示波器探頭測(cè)量漏極電流的位置;V GS ; 和 V DS和 I S
- 支持同步和異步降壓和升壓拓?fù)?/span>
- 套件包括兩個(gè) SMA 轉(zhuǎn) BNC 適配器,用于測(cè)量 V GS波形
- 包括散熱器;熱夾和隔離熱墊
應(yīng)用領(lǐng)域
- 工業(yè)電源
- 服務(wù)器/電信
- 電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)
- 儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)
- 不間斷電源 (UPS)
包含什么
- 評(píng)估板
- 原理圖
- PCB設(shè)計(jì)文件
- 材料清單
- 應(yīng)用說(shuō)明
- LTSpice 模型詳解
- 快速入門視頻
KIT-CRD-CIL17N-BM
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