該評估板演示了采用半橋拓撲配置的 7 引腳 D2PAK (TO-263-7L) 中 900 V 碳化硅 (SiC) C3M? MOSFET 的開關和熱性能。該板設計用于表征碳化硅 MOSFET 的E ON和 E OFF損耗以及穩(wěn)態(tài)熱性能。PCB 在 MOSFET 下方包含 AlN 插件，以提供電氣隔離并優(yōu)化至散熱器的熱傳遞。
這個設計：
- 演示如何使用 AlN 鑲嵌 PCB 進行表面貼裝功率器件的熱管理
- 作為驅(qū)動 D2PAK SiC MOSFET 的 PCB 布局示例
規(guī)格
- 最大直流母線電壓 650V
- 最大功率 4.2kW @ 100kHz
- 優(yōu)化了示波器探頭測量漏極電流的位置；V GS ; 和Vds
- MOSFET 下方散熱器中的預鉆孔熱電偶位置
- 支持同步和異步降壓和升壓拓撲
- 套件包括兩個 SMA 和 BNC 適配器，用于測量 V GS波形
- 包括散熱器；扇子; 風扇護罩；和導熱墊
- 可使用兩個評估板配置為全橋 DC/DC
應用領域
- 工業(yè)電源
- 服務器/電信
- 電動汽車充電系統(tǒng)
- 儲能系統(tǒng)（ESS）
- 不間斷電源 (UPS)
包含什么
- 完全組裝的評估板
- 原理圖
- PCB設計文件
- 材料清單
- 應用說明
KIT-CRD-CIL17N-BM
KIT-CRD-CIL12N-BM
KIT-CRD-CIL12N-FMB
KIT-CRD-CIL12N-FMA
KIT-CRD-CIL12N-FMC
KIT-CRD-CIL12N-GMA
KIT-CRD-CIL17N-HM3
KIT-CRD-CIL12N-HM3
KIT-CRD-3DD12P
KIT-CRD-3DD065P
KIT-CRD-HB12N-J1
KIT-CRD-8FF90P
KIT-CRD-8FF65P
KIT-CRD-CIL17N-XM
KIT-CRD-CIL12N-XM3
