SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 1400 W；50V；0.96 - 1.4GHz
GTVA101K4是一款專門設計的高效率GaN on SiC高電子遷移率晶體管（HEMT）；高增益和寬帶寬能力。這使得 GTVA101K4 非常適合 0.96 – 1.4 GHz 頻段的應用。該晶體管可用于從 UHF 到 1.4 GHz 的特定頻段應用。
特征
- 輸入匹配
- 典型的脈沖連續(xù)波性能；960 – 1215 兆赫；50V；單面；128μs脈沖寬度；10%占空比；P3dB = 1400 W 時的輸出功率；效率=68%；增益 = 17 分貝
- 無鉛且符合 RoHS 標準
應用領(lǐng)域
- 雷達放大器
PTVA030121EA-V1
PTVA120252MT-V1
PTVA120251EA-V2
PTVA120501EA-V1
PTVA123501FC-V1
PTVA123501EC-V2
PTVA104501EH-V1
PTVA035002EV-V1
GTVA126001EC-V1
GTVA126001FC-V1
GTVA107001FC-V1
GTVA107001EC-V1
PTVA127002EV-V1
GTVA107001EFC-V1
PTVA047002EV-V1
CGHV14800F1
CGHV14800F-AMP
CGHV14800F
PTVA101K02EV-V1
LTN/GTVA101K42EV-V1
GTVA101K42EV-V1
