描述

通過使用 CMOS 工藝技術(shù)和創(chuàng)新型電路技術(shù)，ADS5263 被設(shè)計(jì)用來在低功耗下運(yùn)行，并且在 4 Vpp 滿量程輸入時(shí)提供極高的 SNR 性能。通過使用一個(gè)低噪聲 16 位模擬前端級(jí)，之后是一個(gè) 14 位 ADC，此器件提供高達(dá) 10MHz 的 85dBFS SNR，以及高達(dá) 30MHz，優(yōu)于 80dBFS 的 SNR。 All trademarks are the property of their respective owners.ADS5263 具有 14 位低功耗模式，其在此模式下作為一個(gè)四通道 14 位 ADC 運(yùn)行。16 位前端級(jí)被斷電，與 16 位模式相比，此部件的能耗大約為一半。14 位模式支持一個(gè) 2 Vpp 滿量程輸入信號(hào)，此時(shí) SNR 典型值為 74dBFS。ADS5263 可在兩個(gè)分辨率模式間自動(dòng)切換。這使得系統(tǒng)能夠使用高分辨率、高功耗模式或者一個(gè)低分辨率、低功耗模式中的同一部件。該器件還配有一個(gè)數(shù)字處理模塊，其中集成數(shù)字增益（最高可達(dá) 12dB）等多種常用數(shù)字功能。它包括一個(gè)數(shù)字濾波器模塊，此模塊具有內(nèi)置的抽取濾波器（具有低通、高通和帶通特點(diǎn)）。此抽取率也是可編程的（2 倍，4 倍或 8 倍）。這使得該器件非常適用于窄帶 應(yīng)用，因?yàn)闉V波器可為此類應(yīng)用提高 SNR 并濾除諧波，同時(shí)降低輸出數(shù)據(jù)速率。 此器件包括一個(gè)平均模式，在此模式中，可將兩個(gè)通道（或四個(gè)通道）平均來改進(jìn) SNR。一個(gè)非常獨(dú)特的特性是可以實(shí)現(xiàn)輸入通道和 LVDS 輸出引腳間靈活映射的可編程映射器模塊。這有助于大大減少 LVDS 輸出路徑選擇的復(fù)雜程度，并且有可能通過減少印刷電路板 (PCB) 的層數(shù)來獲得更加廉價(jià)的系統(tǒng)電路板。該器件在 -40°C 至 85°C 的工業(yè)級(jí)溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。
 

特性

? 最大采樣率：100MSPS
? 可編程器件分辨率
? 四通道，16 位，高 SNR 模式
? 四通道，14 位，低功耗模式
? 16 位高 SNR 模式
? 100MSPS 時(shí)總體功耗為 1.4W
? 每通道 355mW
? 4 Vpp 滿量程輸入
? f輸入= 3MHz，100MSPS 時(shí)，85dBFS SNR
? 14 位低功耗模式
? 100MSPS 下總體功耗 785mW
? 每通道 195mW
? 2 Vpp 滿量程輸入
? f輸入= 10MHz，74dBFS SNR
? 集成鉗位（用于與電荷耦合元件 (CCD) 傳感器對(duì)接）
? 低頻噪聲抑制
? 數(shù)字處理塊
? 可編程 FIR 抽取濾波器
? 可編程數(shù)字增益：0dB 至 12dB
? 平均 2 或 4 通道
? ADC 輸入通道與低壓差分信令 (LVDS) 輸出引腳間的可編程映射 - 簡化了電路板設(shè)計(jì)
? 多種測(cè)試模式以驗(yàn)證現(xiàn)場(chǎng)可編程?hào)艠O陣列 (FPGA) /接收器的數(shù)據(jù)捕捉
? 已串化 LVDS 輸出
? 內(nèi)部和外部基準(zhǔn)
? 3.3V 模擬電源
? 1.8V 數(shù)字電源
? 在 1 個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)從 6dB 過載內(nèi)恢復(fù)
? 封裝：
? 9mm × 9mm 64 引腳四方扁平無引線 (QFN)
? 針對(duì)磁共振成像 (MRI) 系統(tǒng)的非磁性封裝選項(xiàng)
? CMOS 技術(shù)

應(yīng)用

醫(yī)療成像-MRI
光譜分析
CCD成像

以下均為相關(guān)器件：

ADS5292IPFPT

ADS5221PFBRG4

ADS5231EVM

ADS5294IPFP

ADS5232IPAGT

ADS5220EVM

ADS5242IPAPTG4

ADS5294IPFPT

ADS5270IPFPTG4

ADS5220PFBR