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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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2N7002AQ N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): 2N7002AQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) 2N7002AQ
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

2N7002AQ 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 2N7002AQ該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),并由 PPAP 支持。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    2N7002AQ
名稱                    N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    SOT23


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.2 A
PD @TA = +25°C (W) 0.54 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 3000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 3500 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
CISS Typ (pF) 23 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開關(guān)速度快
小型表面貼裝封裝
ESD 保護(hù)柵極,1.2kV HBM


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