描述
TLC6C598-Q1是一款單芯片、中壓、低電流、8位移位寄存器，設(shè)計(jì)用于要求相對(duì)中等負(fù)載功率的系統(tǒng)，如led。該器件包含一個(gè)8位串行輸入并行輸出移位寄存器，該寄存器為一個(gè)8位D型存儲(chǔ)寄存器提供數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)分別在移位寄存器時(shí)鐘(SRCK)和寄存器時(shí)鐘(RCK)的上升沿通過移位寄存器和存儲(chǔ)寄存器傳輸。當(dāng)移位寄存器清零(CLR)為高電平時(shí)，存儲(chǔ)寄存器將數(shù)據(jù)傳輸?shù)捷敵鼍彌_器。CLR為低電平時(shí)，器件中的所有寄存器清零。保持輸出使能(G)為高電平，輸出緩沖器中的所有數(shù)據(jù)保持低電平，所有漏極輸出關(guān)閉。保持G低電平可使存儲(chǔ)寄存器中的數(shù)據(jù)對(duì)輸出緩沖器透明。當(dāng)輸出緩沖器中的數(shù)據(jù)為低電平時(shí)，DMOS晶體管輸出關(guān)閉。當(dāng)數(shù)據(jù)為高電平時(shí)，DMOS晶體管輸出具有吸電流能力。串行輸出(SER OUT)在SRCK的下降沿從器件輸出，為級(jí)聯(lián)應(yīng)用提供額外的保持時(shí)間。這為時(shí)鐘信號(hào)可能偏斜、器件位置不靠近或系統(tǒng)必須耐受電磁干擾的應(yīng)用提供了更高的性能。該器件內(nèi)置熱關(guān)斷保護(hù)。輸出為低端開漏DMOS晶體管，當(dāng)Vcc = 5 V時(shí)，輸出額定值為40 V，具有50 mA連續(xù)吸電流能力，限流隨著結(jié)溫的升高而降低，以提供額外的器件保護(hù)。使用人體模型測(cè)試時(shí)，該器件還提供高達(dá)2000 V的ESD保護(hù)；使用機(jī)器模型測(cè)試時(shí)，該器件提供高達(dá)200 V的ESD保護(hù)。TLC6C598-Q1特性適用于40°C至125°C的工作環(huán)境溫度范圍
TLC6C598-Q1是一款單芯片、中壓、低電流、8位移位寄存器，設(shè)計(jì)用于要求相對(duì)中等負(fù)載功率的系統(tǒng)，如led。該器件包含一個(gè)8位串行輸入并行輸出移位寄存器，該寄存器為一個(gè)8位D型存儲(chǔ)寄存器提供數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)分別在移位寄存器時(shí)鐘(SRCK)和寄存器時(shí)鐘(RCK)的上升沿通過移位寄存器和存儲(chǔ)寄存器傳輸。當(dāng)移位寄存器清零(CLR)為高電平時(shí)，存儲(chǔ)寄存器將數(shù)據(jù)傳輸?shù)捷敵鼍彌_器。CLR為低電平時(shí)，器件中的所有寄存器清零。保持輸出使能(G)為高電平，輸出緩沖器中的所有數(shù)據(jù)保持低電平，所有漏極輸出關(guān)閉。保持G低電平可使存儲(chǔ)寄存器中的數(shù)據(jù)對(duì)輸出緩沖器透明。當(dāng)輸出緩沖器中的數(shù)據(jù)為低電平時(shí)，DMOS晶體管輸出關(guān)閉。當(dāng)數(shù)據(jù)為高電平時(shí)，DMOS晶體管輸出具有吸電流能力。串行輸出(SER OUT)在SRCK的下降沿從器件輸出，為級(jí)聯(lián)應(yīng)用提供額外的保持時(shí)間。這為時(shí)鐘信號(hào)可能偏斜、器件位置不靠近或系統(tǒng)必須耐受電磁干擾的應(yīng)用提供了更高的性能。該器件內(nèi)置熱關(guān)斷保護(hù)。輸出為低端開漏DMOS晶體管，當(dāng)Vcc = 5 V時(shí)，輸出額定值為40 V，具有50 mA連續(xù)吸電流能力，限流隨著結(jié)溫的升高而降低，以提供額外的器件保護(hù)。使用人體模型測(cè)試時(shí)，該器件還提供高達(dá)2000 V的ESD保護(hù)；使用機(jī)器模型測(cè)試時(shí)，該器件提供高達(dá)200 V的ESD保護(hù)。TLC6C598-Q1特性適用于40°C至125°C的工作環(huán)境溫度范圍
特性
符合汽車應(yīng)用要求
AEC-Q100符合以下結(jié)果:
設(shè)備溫度等級(jí)1:–40°C至125°C環(huán)境工作溫度范圍
器件HBM ESD分類等級(jí)H2
設(shè)備CDM ESD分類等級(jí)C3B
3 V至5.5 V的寬Vcc
輸出最大額定值為. 40 V
8路功率DMOS晶體管輸出，50毫安連續(xù)電流，VCC = 5伏
熱關(guān)斷保護(hù)
多級(jí)增強(qiáng)級(jí)聯(lián)
所有寄存器通過單輸入清零
低功耗
緩慢的開關(guān)時(shí)間(tr和tf)，有助于顯著降低EMI
16引腳TSSOP-PW封裝
16引腳SOIC D封裝
