ADL7078ACPZN 是一個1千兆赫到20千兆赫的低噪聲放大器(LNA),具有32個dbrf輸入電源的生存能力。耦合電容器和偏置電感器是集成的,方便了緊湊的印刷電路板足跡。

ADL7078ACPZN  的增益為13db,輸出功率為1db壓縮(OP1db),輸出功率為16.5dbm,典型的輸出第三順序截取(OIP3)為28dbm,噪聲數(shù)字為4.4db為2千兆赫至18千兆赫。這個LNA工作在一個5V電壓(V 數(shù)據(jù)交換 ),并有名義的靜止電流(I 數(shù)據(jù)量 )的數(shù)字。

該Adl7078是在一種砷化鎵(GAAS)、假形態(tài)電子遷移(PUEMT)過程中制備的。該裝置安裝在一個符合Rohs要求的24鉛、4B毫米x4.00mm的鉛框架芯片規(guī)模包件(LFCSP)中,并規(guī)定從-40℃到+85℃的操作。

提示：以下是本篇文章正文內(nèi)容，下面案例可供參考

一、ADL7078ACPZN產(chǎn)品描述

1.產(chǎn)品特性

ADL7078是一個1千兆赫到20千兆赫的低噪聲放大器(LNA),具有32個dbrf輸入電源的生存能力。耦合電容器和偏置電感器是集成的,方便了緊湊的印刷電路板足跡。

Adl7078的增益為13db,輸出功率為1db壓縮(OP1db),輸出功率為16.5dbm,典型的輸出第三順序截取(OIP3)為28dbm,噪聲數(shù)字為4.4db為2千兆赫至18千兆赫。這個LNA工作在一個5V電壓(V 數(shù)據(jù)交換 ),并有名義的靜止電流(I 數(shù)據(jù)量 )的數(shù)字。

該Adl7078是在一種砷化鎵(GAAS)、假形態(tài)電子遷移(PUEMT)過程中制備的。該裝置安裝在一個符合Rohs要求的24鉛、4B毫米x4.00mm的鉛框架芯片規(guī)模包件(LFCSP)中,并規(guī)定從-40℃到+85℃的操作。2.技術(shù)規(guī)格

二、ADL7078ACPZN 應(yīng)用領(lǐng)域

應(yīng)用

• 電子戰(zhàn)
• 測試和測量設(shè)備
• 衛(wèi)星通信。

三、應(yīng)用電路圖

示例：

特點和益處

• 評估Adl7078高生存性,低噪音放大器,1千兆赫至20千兆赫
• 結(jié)束發(fā)射,2.9毫米射頻連接器
• 通過校準路徑(無人)