--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 60V N 60V N
- 封裝 SOT223
- MOSFET MOSFET
--- 產(chǎn)品詳情 ---
ZXMN6A08GQ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXMN6A08GQ該 MOSFET 旨在滿足汽車(chē)應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并得到 PPAP 支持。
ZXMN6A08GQ 產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) ZXMN6A08GQ
名稱(chēng) 60V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 SOT223
ZXMN6A08GQ 產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.3 A
PD @TA = +25°C (W) 2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 80 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 150 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4 (@5V) nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 5.8 nC
CISS Typ (pF) 459 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 40 V
ZXMN6A08GQ 主要特征
低導(dǎo)通電阻
開(kāi)關(guān)速度快
低門(mén)檻
低柵極驅(qū)動(dòng)
ZXMN6A08GQ 相關(guān)型號(hào)
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