ADGM1002BCCZ
特性
- ADGM1002:直流至 20 GHz
- 插入損耗
- 6 GHz 時(shí)為 0.5 dB（典型值）
- 20 GHz 時(shí)為 0.9 dB（典型值）
- IIP3：76 dBm（典型值）
- 最大射頻功率：30 dBm
- 導(dǎo)通電阻：3.4 Ω（典型值）
- 最大直流電流：150 mA
- 驅(qū)動(dòng)壽命：1億次循環(huán)（最少）
- 開(kāi)關(guān)時(shí)間(tON):200 μ小號(hào)（典型）
- 集成 3.3 V 驅(qū)動(dòng)器，可通過(guò)并行和 SPI 進(jìn)行簡(jiǎn)單控制
- 可獨(dú)立控制的開(kāi)關(guān)
- 節(jié)省空間的集成無(wú)源元件
- 小，5.00 毫米× 4.00 mm× 0.90 毫米、24 引腳 LGA
- 溫度范圍：–40°C 至 +85°C
ADGM1001//ADGM1002/ADGM1003是一款寬帶、單刀雙擲(SP2T)開(kāi)關(guān)，采用ADI公司的微型機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)開(kāi)關(guān)技術(shù)制造而成。利用該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)小型、寬RF帶寬、高線性、低插入損耗開(kāi)關(guān)，其工作頻率可低至0 Hz/DC，可滿足各種RF和精密設(shè)備開(kāi)關(guān)需求。該器件采用24引腳5.00 mm × 4.00 mm × 0.90 mm基板柵格陣列(LGA)封裝。
集成式控制芯片可產(chǎn)生靜電驅(qū)動(dòng)該開(kāi)關(guān)所需的高壓，通過(guò)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)/低壓晶體管對(duì)晶體管邏輯(LVTTL)兼容型并行接口進(jìn)行控制。所有開(kāi)關(guān)都可單獨(dú)進(jìn)行控制。
多功能引腳名稱只能通過(guò)相關(guān)功能來(lái)引用。
| 模式 | 帶寬 | 最大射頻功率 (dBm) | 直流信號(hào)范圍 (V) | 最大直流電流 (mA) |
ADGM1001 | 直流至 34 GHz | 33 | ±6 | 200 |
| ADGM1002 | 直流至 20 GHz | 30 | ±5 | 150 |
ADGM1003 | 直流至 16 GHz | 27 | ±3 | 75 |
應(yīng)用
- ATE負(fù)載和探針板
- DC和高速環(huán)回測(cè)試
- 繼電器替代方案
- 可重復(fù)配置型濾波器和衰減器
- 蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施：5G毫米波
- 支持?jǐn)?shù)字標(biāo)準(zhǔn)：PCIe Gen4/Gen5/Gen6、USB 3和USB 4、PAM 4
