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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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PHD55N03LT-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應用分析

型號: PHD55N03LT-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**PHD55N03LT-VB 產(chǎn)品參數(shù):**
- 絲印: VBE1307
- 品牌: VBsemi
- 封裝: TO252
- 類型: N—Channel 溝道
- 額定電壓: 30V
- 額定電流: 60A
- 靜態(tài)導通電阻: RDS(ON) = 10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth = 1.6V

**應用簡介:**
適用于中電流、低電壓的功率開關(guān)應用,特別是在需要 N—Channel MOSFET 的場合,用于電源開關(guān)、電機控制和功率逆變。

**領(lǐng)域模塊及作用:**
1. **電源開關(guān)模塊:** 用于中功率開關(guān)電源,提供可靠的電力轉(zhuǎn)換。
2. **電機驅(qū)動模塊:** 控制電機運行,適用于中功率電機控制。
3. **中功率逆變模塊:** 適用于逆變器,將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源。
4. **電動工具和電動車模塊:** 提供中功率電流輸出,適用于電動工具和電動車電源系統(tǒng)。

**使用注意事項:**
1. 確保按照規(guī)格書正確連接引腳,以確保器件正常工作。
2. 在設(shè)計中考慮散熱需求,以確保器件在正常溫度范圍內(nèi)。
3. 避免電壓和電流超過器件的最大額定值。
4. 注意防止器件過載,以避免損壞。

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