CS25N50FA9R華潤(rùn)微25A500V高壓MOS場(chǎng)效應(yīng)管
型號(hào):
CS25N50FA9R
總體描述:
CS25N50F A9R硅n通道增強(qiáng)型
VDMOSFET是由平面自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)獲得的降低導(dǎo)通損耗,提高開關(guān)性能
性能和增強(qiáng)雪崩能量。晶體管可用于各種功率開關(guān)電路的系統(tǒng)小型化,效率更高。包裹表格是TO-220F,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
特點(diǎn):
快速交換
低導(dǎo)通電阻(Rdson≤0.27Ω)
低柵極電荷(典型數(shù)據(jù):64nc)
低反向轉(zhuǎn)移電容(典型:10pF)
100%單脈沖雪崩能量測(cè)試
無鹵素