MA4M3030 MNS微波芯片電容器
重要參數(shù)
MA4M3030 MNS微波芯片電容器
電容（PF）：30
隔離電壓（V）：200
芯片樣式：352
產(chǎn)品詳情介紹
M/A-COM的MA4M系列MNS（金屬氮化物硅）硅片電容器專為微波電路應用中的高可靠性和可重復性能而設計。這些電容器是用低壓化學氣相沉積（LPCVD）制造的，這種沉積可以形成致密、均勻的氮化物層。這些電容器比類似的MOS、MIS和陶瓷電容器表現(xiàn)出更高的單位面積電容（導致芯片尺寸更?。?。蒸發(fā)金觸點用于在電容器芯片上提供易于粘合的金屬墊。M/A-COM MNS電容器在150℃的額定電壓下沒有顯示出可測量的電容變化。
MA4M系列片式電容器是一個很好的選擇，用于Ku波段以上的混合微波電路中，低損耗、高可靠性、小尺寸和溫度穩(wěn)定性是主要考慮因素。
這些片式電容器適用于需要直流模塊、耦合電容器、旁路電容器、電容負載和振蕩器、乘法器和濾波器中的調(diào)諧元件的應用。
MA4M3030特征
?極好的重復性（晶圓對晶圓和批次對批次）
?小尺寸
?低損耗，高Q值
?提供圓形或方形焊盤
代理商 華灃恒霖電子 如有需求歡迎聯(lián)系黃云艷
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