MA4M1050 1個MNS微波芯片電容器
重要參數(shù)
MA4M1050 1個MNS微波芯片電容器
電容（PF）：50
隔離電壓（V）：100
芯片樣式：132
產(chǎn)品詳情介紹
M/A-COM的MA4M系列MNS（金屬氮化物硅）硅片電容器專為微波電路應(yīng)用中的高可靠性和可重復(fù)性能而設(shè)計。這些電容器是用低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）制造的，這種沉積可以形成致密、均勻的氮化物層。這些電容器比類似的MOS、MIS和陶瓷電容器表現(xiàn)出更高的單位面積電容（導(dǎo)致芯片尺寸更小）。蒸發(fā)金觸點(diǎn)用于在電容器芯片上提供易于粘合的金屬墊。M/A-COM MNS電容器在150℃的額定電壓下沒有顯示出可測量的電容變化。
MA4M系列片式電容器是一個很好的選擇，用于Ku波段以上的混合微波電路中，低損耗、高可靠性、小尺寸和溫度穩(wěn)定性是主要考慮因素。
這些片式電容器適用于需要直流模塊、耦合電容器、旁路電容器、電容負(fù)載和振蕩器、乘法器和濾波器中的調(diào)諧元件的應(yīng)用。
MA4M1050特征
?極好的重復(fù)性（晶圓對晶圓和批次對批次）
?小尺寸
?低損耗，高Q值
?提供圓形或方形焊盤
代理商 華灃恒霖電子 如有需求歡迎聯(lián)系黃云艷
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HI-6121
Part #
HI-6121PCI
HI-6121PCIF
HI-6121PCM
HI-6121PCMF
HI-6121PCT
HI-6121PCTF
HI-6121PQI
HI-6121PQIF
HI-6121PQM
HI-6121PQMF
HI-6121PQT
HI-6121PQTF
HI-6110
Part #
HI-6110PCI
HI-6110PCIF
HI-6110PCT
HI-6110PCTF
HI-6110PQI
HI-6110PQIF
HI-6110PQM
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HI-6110PQT
HI-6110PQTF
Part #
PM-DB2764
PM-DB2702
PM-DB2705
PM-DB2705EX
PM-DB2707
PM-DB2712
PM-DB2717
PM-DB2722
PM-DB27403
PM-DB27413
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PM-DB2742T
