HMC435AMS8G(E)
SPDT非反射式開(kāi)關(guān)，DC - 4 GHz
HMC435AMS8G(E)特性
高隔離度： 62 dB（1 GHz時(shí)） 52 dB（2 GHz時(shí)）
正控制： 0/+5V
輸入IP3： 54 dBm
非反射式設(shè)計(jì)
超小型MSOP-86封裝：
14.8 mm2
HMC435AMS8G(E)是一款非反射式DC-4 GHz GaAs MESFET SPDT開(kāi)關(guān)，采用低成本8引腳MSOP8G表面貼裝封裝，帶有裸露接地焊盤。 該開(kāi)關(guān)非常適合蜂窩/3G和WiMAX/4G應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)高達(dá)60 dB的隔離、0.8 dB的低插入損耗和+50 dBm的輸入IP3。 在3.8 GHz WiMAX頻段，該開(kāi)關(guān)具有很高的功率處理能力，另外提供+30 dBm的P1dB壓縮性能。 片內(nèi)電路可在很低的DC電流下實(shí)現(xiàn)0/+5伏特的正電壓控制。
HMC435AMS8G(E)應(yīng)用
基站和中繼器
蜂窩/3G和WiMAX/4G
基礎(chǔ)設(shè)施和接入點(diǎn)
CATV/CMTS
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Part #
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