1.概述W9864G6KH是一種高速同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM），組織為1M字? 4個銀行? 16位。W9864G6KH提供高達每秒200M字的數(shù)據(jù)帶寬。對于不同的應(yīng)用，W9864G6KH可分為以下速度等級：-5、-6、-6I和-7。-5部分可以運行高達200MHz/CL3。-6和-6I部件最高可運行166MHz/CL3（-6I工業(yè)級，保證支持-40°C~85°C）。-7部分可以運行高達143MHz/CL3，tRP=18nS。對SDRAM的訪問是面向突發(fā)的。當(dāng)ACTIVE命令選擇一個存儲體和行時，可以以1、2、4、8或整頁的突發(fā)長度訪問一頁中的連續(xù)存儲器位置。列地址由SDRAM內(nèi)部計數(shù)器在突發(fā)操作中自動生成。通過在每個時鐘周期提供其地址，隨機列讀取也是可能的。多個存儲體的性質(zhì)使得內(nèi)部存儲體之間能夠交錯以隱藏預(yù)充電時間。通過具有可編程模式寄存器，該系統(tǒng)可以改變突發(fā)長度、延遲周期、交織器順序突發(fā)，以最大限度地提高其性能。W9864G6KH是高性能應(yīng)用程序中主存儲器的理想選擇。
 

2.特點? 用于-5、-6和-6I速度等級電源的3.3V±0.3V? 2.7V~3.6V，適用于-7速等級電源? 1048576字? 4個銀行? 16位組織? 自刷新電流：標(biāo)準(zhǔn)和低功率? CAS延遲：2和3? 突發(fā)長度：1、2、4、8和整頁? 順序和交錯突發(fā)? 字節(jié)數(shù)據(jù)由LDQM、UDQM控制? 自動預(yù)充電和受控預(yù)充電? 突發(fā)讀取，單次寫入操作? 4K刷新周期/64mS? 接口：LVTTL? TSOP II 54引腳400密耳封裝，采用無鉛材料，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)