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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>IGBT Module Rupture Categoriza

      IGBT Module Rupture Categoriza

      2010-02-19 | rar | 344 | 次下載 | 3積分

      資料介紹

      Abstract - The isolated base, plastic molded, power
      semiconductor module assembly has been available for
      various devices for over twenty years. During this time
      the power bipolar junction transistor, the BJT, has given
      way to the Insulated Gate Bipolar Junction Transistor,
      the IGBT, as the self commutatible device of choice
      especially for voltage source inverter topologies. As part
      of the power structure design process, careful
      consideration should be given to possible power device
      failure. Obviously every power structure designer strives
      to remain well within the operating limits of the power
      device as specified by the IGBT manufacturer. However,
      there are component failures either of the power
      switching device or of supporting components that result
      in one or more IGBT power device failures.
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