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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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封裝技術(shù)是一種將芯片與承載基板連接固定、引出管腳并將其塑封成整體功率器件或模塊的工藝,主要起到電氣連接、結(jié)構(gòu)支持和保護(hù)、提供散熱途徑等作用[4]。封裝作...
2023-08-24 標(biāo)簽:IGBT功率器件半導(dǎo)體器件 3.1k 0
由于電遷移效應(yīng),金屬線可能會(huì)斷裂并短路。EM會(huì)增加導(dǎo)線電阻,這會(huì)導(dǎo)致電壓下降,從而導(dǎo)致設(shè)備降速。由于短路或開路,它還可能導(dǎo)致電路永久性故障。
雙脈沖測(cè)試平臺(tái)架構(gòu)可解決客戶在功率器件常見的問題
雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段,適用于各類功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
SiC 技術(shù)的先驅(qū)引領(lǐng)系統(tǒng)效率,高度關(guān)注可靠性和耐用性。近 20 年來, GeneSiC 開創(chuàng)了高性能, 堅(jiān)固, 和可靠的碳化硅 (SiC) 用于汽車、...
2023-10-25 標(biāo)簽:二極管驅(qū)動(dòng)器功率器件 3k 0
功率半導(dǎo)體是一類能夠控制和調(diào)節(jié)大電流和高電壓的半導(dǎo)體器件。它可以將小信號(hào)控制電流或電壓轉(zhuǎn)換成大信號(hào)輸出,廣泛應(yīng)用于電力電子、工業(yè)自動(dòng)化、交通運(yùn)輸、新能源...
2023-02-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件功率半導(dǎo)體 3k 0
推挽式開關(guān)電源的優(yōu)勢(shì)及工作原理
推挽式開關(guān)電源是一種常見的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在推挽式開關(guān)電源中,MOS管是核心的功率器件之一,其性能直接影響到整個(gè)電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性...
2024-08-15 標(biāo)簽:電子設(shè)備功率器件電源拓?fù)?/a> 3k 0
金屬封裝形式的氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管( VDMOS ), 在經(jīng)歷篩選試驗(yàn)后,管殼表面的金屬層出現(xiàn)了腐蝕形貌, 通過顯微鏡觀察、 掃描電鏡、 EDS 能...
功率半導(dǎo)體是指用于高電壓、高電流應(yīng)用的半導(dǎo)體器件,其功能包括但不限于以下幾個(gè)方面: 開關(guān)控制:功率半導(dǎo)體器件常常用于開關(guān)控制電路中,通過控制其導(dǎo)通和截止...
2023-02-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件功率半導(dǎo)體 3k 0
本文主要講述什么是晶圓級(jí)芯粒封裝中的分立式功率器件。 分立式功率器件作為電源管理系統(tǒng)的核心單元,涵蓋二極管、MOSFET、IGBT等關(guān)鍵產(chǎn)品,在個(gè)人計(jì)算...
IGBT 作為新能源汽車電機(jī)控制器的核心部件,直接決定了電動(dòng)汽車的安全性和可靠性。本文主要介 紹采用熱敏感電參數(shù)法提取 IGBT 結(jié)溫,并結(jié)合 CLTC...
成功實(shí)現(xiàn)功率器件熱設(shè)計(jì)的四大步驟
鐵路、汽車、基礎(chǔ)設(shè)施、家電等電力電子一直在與我們息息相關(guān)的生活中支持著我們。為節(jié)省能源和降低含碳量(實(shí)現(xiàn)脫碳),需要高度高效的電力電子技術(shù)。IGBT、S...
2022-03-25 標(biāo)簽:電力電子功率器件熱設(shè)計(jì) 2.9k 0
如今,以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)風(fēng)頭正勁。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比,GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電...
中山大學(xué)王鋼教授團(tuán)隊(duì)在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進(jìn)展
該綜述總結(jié)了NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀,為之后設(shè)計(jì)高性能的NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)器件提供了參考,對(duì)β-Ga2O3雙極型器...
2023-06-30 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料氧化鎵 2.9k 0
氮化鎵功率器件可以分為三類:MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(晶閘管)和JFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。
MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是...
氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議以及碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域
碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料,具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能,尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比,碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...
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